IR21834 기술 사양
Infineon Technologies - IR21834 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IR21834과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 전압 - 공급 | 10V ~ 20V | |
| 제조업체 장치 패키지 | 14-DIP | |
| 연속 | - | |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 40ns, 20ns | |
| 패키지 / 케이스 | 14-DIP (0.300', 7.62mm) | |
| 패키지 | Tube | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 입력 주파수 | 2 |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 실장 형 | Through Hole | |
| 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 2.7V | |
| 입력 유형 | Inverting, Non-Inverting | |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 600 V | |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| 구동 구성 | Half-Bridge | |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 1.9A, 2.3A | |
| 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Independent | |
| 기본 제품 번호 | IR21834 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 미준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IR21834와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IR21834 | IR2183S | IR2181SPBF | IR2182S |
| 제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 1.9A, 2.3A | 1.9A, 2.3A | 1.9A, 2.3A | 1.9A, 2.3A |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 구동 구성 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| 연속 | - | - | - | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 40ns, 20ns | 40ns, 20ns | 40ns, 20ns | 40ns, 20ns |
| 제조업체 장치 패키지 | 14-DIP | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 입력 유형 | Inverting, Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 패키지 / 케이스 | 14-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Independent | Independent | Independent | Independent |
| 기본 제품 번호 | IR21834 | IR2183 | IR2181 | IR2182 |
| 입력 주파수 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 전압 - 공급 | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 실장 형 | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 2.7V | 0.8V, 2.7V | 0.8V, 2.7V | 0.8V, 2.7V |
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IR2183SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IR2182STRPBFIRIR2181SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2182SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IR2182Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
IR21834SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICIR21834SIRIR21834PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIPIR2183PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPIR21834PBF.IRIR21824SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICIR2181SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2181PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPIR2181STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR21814STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICIR21834STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICIR2183SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR21834STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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