IRF6623TR1 기술 사양
Infineon Technologies - IRF6623TR1 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRF6623TR1과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
제조사 | Infineon Technologies | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | DIRECTFET™ ST | |
연속 | HEXFET® | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.7mOhm @ 15A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 1.4W (Ta), 42W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | DirectFET™ Isometric ST | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1360 pF @ 10 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A (Ta), 55A (Tc) |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRF6623TR1와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | IRF6623TR1 | IRF6623TRPBF | IRF6621TRPBF | IRF6628TR1PBF |
제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
연속 | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 4.5 V | 17.5 nC @ 4.5 V | 47 nC @ 4.5 V |
Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | 20 V | 30 V | 25 V |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.7mOhm @ 15A, 10V | 5.7mOhm @ 15A, 10V | 9.1mOhm @ 12A, 10V | 2.5mOhm @ 27A, 10V |
패키지 / 케이스 | DirectFET™ Isometric ST | DirectFET™ Isometric ST | DirectFET™ Isometric SQ | DirectFET™ Isometric MX |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
제조업체 장치 패키지 | DIRECTFET™ ST | DIRECTFET™ ST | DIRECTFET™ SQ | DIRECTFET™ MX |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A (Ta), 55A (Tc) | 16A (Ta), 55A (Tc) | 12A (Ta), 55A (Tc) | 27A (Ta), 160A (Tc) |
전력 소비 (최대) | 1.4W (Ta), 42W (Tc) | 1.4W (Ta), 42W (Tc) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | 2.8W (Ta), 96W (Tc) |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1360 pF @ 10 V | 1360 pF @ 10 V | 1460 pF @ 15 V | 3770 pF @ 15 V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
FET 특징 | - | - | - | - |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.25V @ 250µA | 2.35V @ 100µA |
IRF6623TR1 - Infineon Technologies에 대한 IRF6623TR1 PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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