IRF6678TR1 기술 사양
Infineon Technologies - IRF6678TR1 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRF6678TR1과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.25V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | DIRECTFET™ MX | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.2mOhm @ 30A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | DirectFET™ Isometric MX | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5640 pF @ 15 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 65 nC @ 4.5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Ta), 150A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 미준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRF6678TR1와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRF6678TR1 | IRF6706S2TR1PBF | IRF6665TR1 | IRF6691TR1 |
| 제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 패키지 / 케이스 | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric S1 | DirectFET™ Isometric SH | DirectFET™ Isometric MT |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 25 V | 100 V | 20 V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±12V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 65 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 4.5 V | 13 nC @ 10 V | 71 nC @ 4.5 V |
| 연속 | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.25V @ 250µA | 2.35V @ 25µA | 5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.2mOhm @ 30A, 10V | 3.8mOhm @ 17A, 10V | 62mOhm @ 5A, 10V | 1.8mOhm @ 15A, 10V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5640 pF @ 15 V | 1810 pF @ 13 V | 530 pF @ 25 V | 6580 pF @ 10 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전력 소비 (최대) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 1.8W (Ta), 26W (Tc) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Ta), 150A (Tc) | 17A (Ta), 63A (Tc) | 4.2A (Ta), 19A (Tc) | 32A (Ta), 180A (Tc) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 제조업체 장치 패키지 | DIRECTFET™ MX | DirectFET™ Isometric S1 | DIRECTFET™ SH | DIRECTFET™ MT |
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IRF6668TRIRIRF6706S2TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFETIRF6665TR1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFETIRF6691TR1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFETIRF6678TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFETIRF6691TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFETIRF6678TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFETIRF6668TRPBF MOSIRIRF6678TRIRIRF6678Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFETIRF6691TRIRIRF6668TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZIRF6665TRPBFInternational RectifierIRF6665 - 12V-300V N-CHANNEL POWIRF6691TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFETIRF6665TRIRIRF6668TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZIRF6691IRIRF6709S2TRIR| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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