IRF7171MTRPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRF7171MTRPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRF7171MTRPBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.6V @ 150µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | DIRECTFET™ MN | |
| 연속 | FASTIRFET™, HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6.5mOhm @ 56A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 2.8W (Ta), 104W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | DirectFET™ Isometric MN | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2160 pF @ 50 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 54 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 15A (Ta), 93A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRF7171MTRPBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRF7171MTRPBF | IRF712 | IRF720 | IRF720 |
| 제조사 | Infineon Technologies | Harris Corporation | onsemi | Vishay Siliconix |
| 연속 | FASTIRFET™, HEXFET® | - | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 15A (Ta), 93A (Tc) | 1.7A (Tc) | 3.3A (Tc) | 3.3A (Tc) |
| 실장 형 | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 패키지 / 케이스 | DirectFET™ Isometric MN | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.6V @ 150µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | DIRECTFET™ MN | TO-220-3 | TO-220AB | TO-220AB |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6.5mOhm @ 56A, 10V | 5Ohm @ 1.1A, 10V | 1.8Ohm @ 2A, 10V | 1.8Ohm @ 2A, 10V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2160 pF @ 50 V | 135 pF @ 25 V | 410 pF @ 25 V | 410 pF @ 25 V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전력 소비 (최대) | 2.8W (Ta), 104W (Tc) | 36W (Tc) | 50W (Tc) | 50W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 54 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube | Tube |
IRF7171MTRPBF - Infineon Technologies에 대한 IRF7171MTRPBF PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.
IRF7107TRPBFIRIRF710STRPBFIRIRF712Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET
IRF7201TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF720onsemiMOSFET N-CH 400V 3.3A TO220ABIRF720Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 3.3A TO220ABIRF7201PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF7201 MOSIR
IRF7201Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIRF710SVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 2A D2PAKIRF7108IRIRF7108TRIRFIRF7201TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIRF710PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 2A TO220ABIRF710SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 2A D2PAKIRF710ASECIRF7201TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIRF7201TR MOSIR| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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