IRF7507TRPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRF7507TRPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRF7507TRPBF과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Infineon Technologies | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 700mV @ 250µA | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | Micro8™ | |
연속 | HEXFET® | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 140mOhm @ 1.7A, 4.5V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
패키지 / 케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 260pF @ 15V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 8nC @ 4.5V | |
FET 특징 | Logic Level Gate | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.4A, 1.7A | |
구성 | N and P-Channel | |
기본 제품 번호 | IRF7507 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRF7507TRPBF와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | IRF7507TRPBF | IRF7506TR | IRF7504TRPBF | IRF7509TRPBF |
제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 30V | 20V | 30V |
구성 | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 8nC @ 4.5V | 11nC @ 10V | 8.2nC @ 4.5V | 12nC @ 10V |
제조업체 장치 패키지 | Micro8™ | Micro8™ | Micro8™ | Micro8™ |
기본 제품 번호 | IRF7507 | IRF7506 | IRF7504 | IRF7509 |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 700mV @ 250µA | 1V @ 250µA | 700mV @ 250µA | 1V @ 250µA |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.4A, 1.7A | 1.7A | 1.7A | 2.7A, 2A |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
FET 특징 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
연속 | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
패키지 / 케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 140mOhm @ 1.7A, 4.5V | 270mOhm @ 1.2A, 10V | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V | 110mOhm @ 1.7A, 10V |
전력 - 최대 | 1.25W | 1.25W | 1.25W | 1.25W |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 260pF @ 15V | 180pF @ 25V | 240pF @ 15V | 210pF @ 25V |
IRF7507TRPBF - Infineon Technologies에 대한 IRF7507TRPBF PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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