IRFH4255DTRPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRFH4255DTRPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRFH4255DTRPBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.1V @ 35µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | PQFN (5x6) | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.2mOhm @ 30A, 10V | |
| 전력 - 최대 | 31W, 38W | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1314pF @ 13V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 15nC @ 4.5V | |
| FET 특징 | Logic Level Gate | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 25V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 64A, 105A | |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | |
| 기본 제품 번호 | IRFH4255 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRFH4255DTRPBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRFH4255DTRPBF | IRFH4251DTRPBF | IRFH4253DTRPBF | IRFH4257DTRPBF |
| 제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.1V @ 35µA | 2.1V @ 35µA | 2.1V @ 35µA | 2.1V @ 35µA |
| 전력 - 최대 | 31W, 38W | 31W, 63W | 31W, 50W | 25W, 28W |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| FET 특징 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 64A, 105A | 64A, 188A | 64A, 145A | 25A |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 15nC @ 4.5V | 15nC @ 4.5V | 15nC @ 4.5V | 15nC @ 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 25V | 25V | 25V | 25V |
| 제조업체 장치 패키지 | PQFN (5x6) | PG-TISON-8 | PQFN (5x6) | Dual PQFN (5x4) |
| 기본 제품 번호 | IRFH4255 | IRFH4251 | IRFH4253 | IRFH4257 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1314pF @ 13V | 1314pF @ 13V | 1314pF @ 13V | 1321pF @ 13V |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| 연속 | HEXFET® | FASTIRFET™ | HEXFET® | HEXFET® |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual), Schottky | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.2mOhm @ 30A, 10V | 3.2mOhm @ 30A, 10V | 3.2mOhm @ 30A, 10V | 3.4mOhm @ 25A, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
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IRFH4257DTRPBF MOSIRIRFH5006PBFIRIRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFNIRFH4251DIORIRFH5004TRPBF.IRIRFH4213TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 41A PQFNIRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFNIRFH4234TRPBF MOSIRIRFH4253DIORIRFH5006TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFNIRFH4226TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFNIRFH4250DTRPBFIRIRFH4234TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 22A PQFNIRFH5004TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 28A 8VQFNIRFH5006TRPBFInternational RectifierIRFH5006 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFNIRFH5004IRIRFH4257DTRPBFInternational RectifierIRFH4257 - HEXFET POWER MOSFET| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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