IRFH5007TRPBF 기술 사양
International Rectifier - IRFH5007TRPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 International Rectifier - IRFH5007TRPBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 150µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-PQFN (5x6) | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.9mOhm @ 50A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | |
| 패키지 | Bulk |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4290 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 98 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 75 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 17A (Ta), 100A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 International Rectifier IRFH5007TRPBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRFH5007TRPBF | IRFH5010TRPBF | IRFH5004TR2PBF | IRFH5015TRPBF |
| 제조사 | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 150µA | 4V @ 150µA | 4V @ 150µA | 5V @ 150µA |
| 전력 소비 (최대) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | 3.6W (Ta), 250W (Tc) | - | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4290 pF @ 25 V | 4340 pF @ 25 V | 4490 pF @ 20 V | 2300 pF @ 50 V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 75 V | 100 V | 40 V | 150 V |
| 연속 | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 17A (Ta), 100A (Tc) | 13A (Ta), 100A (Tc) | 28A (Ta), 100A (Tc) | 10A (Ta), 56A (Tc) |
| 패키지 | Bulk | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 98 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | - | ±20V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.9mOhm @ 50A, 10V | 9mOhm @ 50A, 10V | 2.6mOhm @ 50A, 10V | 31mOhm @ 34A, 10V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | - | 10V |
IRFH5010TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFNIRFH5020TRPBF MOSIRIRFH5004TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 28A 8VQFNIRFH5006PBFIRIRFH5004IRIRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFNIRFH5010PBFIRIRFH5015TRPBF.IRIRFH5020TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFNIRFH5004TRPBF.IRIRFH4257DTRPBF MOSIRIRFH5007TR2PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFNIRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFNIRFH5025TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 3.8A PQFNIRFH5015TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 10A 8VQFNIRFH5006TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFNIRFH5006TRPBFInternational RectifierIRFH5006 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFH5010TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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