IRFH5206TRPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRFH5206TRPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRFH5206TRPBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 100µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-PQFN (5x6) | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6.7mOhm @ 50A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 3.6W (Ta), 100W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2490 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A (Ta), 89A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRFH5206TRPBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRFH5206TRPBF | IRFH5207TRPBF | IRFH5250DTR2PBF | IRFH5220TR2PBF |
| 제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 전력 소비 (최대) | 3.6W (Ta), 100W (Tc) | 3.6W (Ta), 105W (Tc) | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | - | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 100µA | 4V @ 100µA | 2.35V @ 150µA | 5V @ 100µA |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 75 V | 25 V | 200 V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | - | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6.7mOhm @ 50A, 10V | 9.6mOhm @ 43A, 10V | 1.4mOhm @ 50A, 10V | 99.9mOhm @ 5.8A, 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2490 pF @ 25 V | 2474 pF @ 25 V | 6115 pF @ 13 V | 1380 pF @ 50 V |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | PQFN (5x6) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
| 연속 | HEXFET® | HEXFET® | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A (Ta), 89A (Tc) | 13A (Ta), 71A (Tc) | 40A (Ta), 100A (Tc) | 3.8A (Ta), 20A (Tc) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-VQFN Exposed Pad |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V | 83 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V |
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IRFH5207TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 13A/71A 8PQFNIRFH5206TRPBF MOSIRIRFH5250DTR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 40A 8VQFNIRFH5220TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 3.8A PQFNIRFH5210TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFNIRFH5210TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFNIRFH5110TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 5X6 PQFNIRFH5215TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFNIRFH5220TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFNIRFH5250DPBFIRIRFH5110PBFIRIRFH5110IRIRFH5204IRIRFH5206TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFNIRFH5204TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 22A/100A PQFNIRFH5204TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 22A PQFNIRFH5206IRIRFH5110TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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