IRFHM8228TRPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRFHM8228TRPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRFHM8228TRPBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.35V @ 25µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.2mOhm @ 20A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 2.8W (Ta), 34W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1667 pF @ 10 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 25 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 19A (Ta) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRFHM8228TRPBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRFHM8228TRPBF | IRFHM4234TRPBF | IRFHM8235TRPBF | IRFHM830DTR2PBF |
| 제조사 | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1667 pF @ 10 V | 1011 pF @ 13 V | 1040 pF @ 10 V | 1797 pF @ 25 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 19A (Ta) | 20A (Ta) | 16A (Ta) | 20A (Ta), 40A (Tc) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.2mOhm @ 20A, 10V | 4.4mOhm @ 30A, 10V | 7.7mOhm @ 20A, 10V | 4.3mOhm @ 20A, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 25 V | 25 V | 25 V | 30 V |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.35V @ 25µA | 2.1V @ 25µA | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 50µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | - | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | PQFN (3x3) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 12 nC @ 4.5 V | 27 nC @ 10 V |
| 전력 소비 (최대) | 2.8W (Ta), 34W (Tc) | 2.8W (Ta), 28W (Tc) | 3W (Ta), 30W (Tc) | - |
| 연속 | HEXFET® | FASTIRFET™, HEXFET® | HEXFET® | - |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | 8-TQFN Exposed Pad | 8-PowerTDFN | 8-VQFN Exposed Pad |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
IRFHM8228TRPBF - Infineon Technologies에 대한 IRFHM8228TRPBF PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.
IRFHM4234TRPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRFHM831IRIRFHM8235TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 16A 8PQFNIRFHM830DTR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 20A PQFNIRFHM8228IRIRFHM831TRPBF MOSIRIRFHM792TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFNIRFHM8235IRIRFHM830TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFNIRFHM831TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A PQFNIRFHM830DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFNIRFHM4231TRPBF MOSIRIRFHM520IRIRFHM7194TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.3A/34A 8PQFNIRFHM4231TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 40A 8PQFNIRFHM4234TRPBF MOSIRIRFHM831TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFNIRFHM792TRCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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