IRFL4310TR 기술 사양
Infineon Technologies - IRFL4310TR 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRFL4310TR과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 200mOhm @ 1.6A, 10V | |
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 패키지 | Cut Tape (CT) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 330 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.6A (Ta) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 미준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRFL4310TR와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRFL4310TR | IRFL4310TRPBF | IRFL4310PBF | IRFL4105 |
| 제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 연속 | - | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 패키지 | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 200mOhm @ 1.6A, 10V | 200mOhm @ 1.6A, 10V | 200mOhm @ 1.6A, 10V | 45mOhm @ 3.7A, 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.6A (Ta) | 1.6A (Ta) | 1.6A (Ta) | 3.7A (Ta) |
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 330 pF @ 25 V | 330 pF @ 25 V | 330 pF @ 25 V | 660 pF @ 25 V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 55 V |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 |
| FET 특징 | - | - | - | - |
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IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
IRFL4310IRIRFL4310PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223IRFL4315 MOSIRIRFL4315TRFBFIRIRFL4310 MOSIRIRFL4105PBF FL4105IRIRFL4105Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223IRFL4105TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223IRFL4315PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRFL4105 MOSIRIRFL4105TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223IRFL4105TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFL4315TRPBF MOSIRIRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223IRFL9014Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223IRFL4315Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223IRFL5505TRPBFIR| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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