IRFR1010ZTRPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRFR1010ZTRPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRFR1010ZTRPBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 100µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | D-Pak | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 7.5mOhm @ 42A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 140W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2840 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 55 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 42A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IRFR1010 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRFR1010ZTRPBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRFR1010ZTRPBF | IRFR024TRLPBF | IRFR1010Z | IRFR1018ETRPBF |
| 제조사 | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 전력 소비 (최대) | 140W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | 140W (Tc) | 110W (Tc) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 7.5mOhm @ 42A, 10V | 100mOhm @ 8.4A, 10V | 7.5mOhm @ 42A, 10V | 8.4mOhm @ 47A, 10V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 42A (Tc) | 14A (Tc) | 42A (Tc) | 56A (Tc) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2840 pF @ 25 V | 640 pF @ 25 V | 2840 pF @ 25 V | 2290 pF @ 50 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 기본 제품 번호 | IRFR1010 | IRFR024 | - | IRFR1018 |
| 연속 | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
| 제조업체 장치 패키지 | D-Pak | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4V @ 100µA | 4V @ 100µA |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 55 V | 60 V | 55 V | 60 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 95 nC @ 10 V | 69 nC @ 10 V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
IRFR1010ZTRPBF - Infineon Technologies에 대한 IRFR1010ZTRPBF PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.
IRFR024TRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRFR1010ZTRLPBFInfineon
IRFR1018EIR/VISHAYIRFR1010ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 42A DPAKIRFR044IRIRFR1018ETRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 56A DPAKIRFR024TRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAKIRFR1010ZTRPBF MOSIRIRFR1018ETRLPBFIRIRFR1010ZTRPBF.IRIRFR1010Z MOSIRIRFR1018ZTRPBFIRIRFR024TRVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAKIRFR1010ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 42A DPAKIRFR024TRLVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAKIRFR1018EPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 56A DPAKIRFR110Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IRFR110 MOSFairchild (onsemi)| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
더 나은 가격을 원하십니까? 이 CART 에 추가하십시오. 즉시 연락 드리겠습니다.