IRFR4105ZPBF 기술 사양
International Rectifier - IRFR4105ZPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 International Rectifier - IRFR4105ZPBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-252AA | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 24.5mOhm @ 18A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 48W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 패키지 | Bulk | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 740 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 55 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
오른쪽 세 부분의 규격은 International Rectifier IRFR4105ZPBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRFR4105ZPBF | IRFR4104TRPBF | IRFR420 | IRFR4105PBF |
| 제조사 | International Rectifier | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 패키지 | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) | 42A (Tc) | 2.4A (Tc) | 27A (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전력 소비 (최대) | 48W (Tc) | 140W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | 68W (Tc) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 740 pF @ 25 V | 2950 pF @ 25 V | 360 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 24.5mOhm @ 18A, 10V | 5.5mOhm @ 42A, 10V | 3Ohm @ 1.4A, 10V | 45mOhm @ 16A, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 55 V | 40 V | 500 V | 55 V |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-252AA | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| 연속 | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | 89 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 34 nC @ 10 V |
IRFR4105IRIRFR420 MOSIRIRFR4105ZTRPBF.IRIRFR4104TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 42A DPAKIRFR4209AS5000HARRISIRFR420Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.4A DPAKIRFR4105PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 27A DPAKIRFR4105ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 30A DPAKIRFR420APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
IRFR420AFairchild (onsemi)IRFR4105TRPBF.IRIRFR4105TRPBF MOSIRIRFR420Harris Corporation2.5A 500V 3.000 OHM N-CHANNELIRFR4105TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 27A DPAKIRFR4105TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 27A DPAKIRFR4105ZPBF MOSIRIRFR4105 MOSIRIRFR4105ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 30A DPAK| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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