IRFR6215TRRPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRFR6215TRRPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRFR6215TRRPBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | D-Pak | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 295mOhm @ 6.6A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 110W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 860 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 66 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | P-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 150 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IRFR6215 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRFR6215TRRPBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRFR6215TRRPBF | IRFR6215TRPBF | IRFR7440TRPBF | IRFR6215TRLPBF |
| 제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13A (Tc) | 13A (Tc) | 90A (Tc) | 13A (Tc) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 860 pF @ 25 V | 860 pF @ 25 V | 4610 pF @ 25 V | 860 pF @ 25 V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | D-Pak | D-Pak | PG-TO252-3 | D-Pak |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| FET 유형 | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 전력 소비 (최대) | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 140W (Tc) | 110W (Tc) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3.9V @ 100µA | 4V @ 250µA |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 6V, 10V | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 150 V | 150 V | 40 V | 150 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 66 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V | 134 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 295mOhm @ 6.6A, 10V | 295mOhm @ 6.6A, 10V | 2.4mOhm @ 90A, 10V | 295mOhm @ 6.6A, 10V |
| 연속 | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 기본 제품 번호 | IRFR6215 | IRFR6215 | IRFR7440 | IRFR6215 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 13A DPAKIRFR7440TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 90A DPAK
IRFR7446IRIRFR5505TRPBF MOSIR
IRFR7440Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 13A DPAKIRFR6215Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFR5505TRPBF.IRIRFR7440TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFR7446TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 56A DPAKIRFR7540IRIRFR6215PBFInternational RectifierPFET, 13A I(D), 150V, 0.295OHM,IRFR6401IRIRFR6215PBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFR7440PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 40V 90A DPAKIRFR6215TRRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 13A DPAKIRFR7446PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 56A TO252IRFR6215TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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