IRFS4115TRLPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRFS4115TRLPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRFS4115TRLPBF과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Infineon Technologies | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | D2PAK | |
연속 | HEXFET® | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 12.1mOhm @ 62A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 375W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
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작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5270 pF @ 50 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 150 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 195A (Tc) | |
기본 제품 번호 | IRFS4115 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRFS4115TRLPBF와 비슷합니다
제품 속성 | ![]() |
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제품 모델 | IRFS4115TRLPBF | IRFS4115TRL7PP | IRFS41N15DPBF | IRFS4115-7PPBF |
제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5270 pF @ 50 V | 5320 pF @ 50 V | 2520 pF @ 25 V | 5320 pF @ 50 V |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
기본 제품 번호 | IRFS4115 | IRFS4115 | - | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
제조업체 장치 패키지 | D2PAK | D2PAK (7-Lead) | D2PAK | D2PAK (7-Lead) |
연속 | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 195A (Tc) | 105A (Tc) | 41A (Tc) | 105A (Tc) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 150 V | 150 V | 150 V | 150 V |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 12.1mOhm @ 62A, 10V | 11.8mOhm @ 63A, 10V | 45mOhm @ 25A, 10V | 11.8mOhm @ 63A, 10V |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
전력 소비 (최대) | 375W (Tc) | 380W (Tc) | 3.1W (Ta) | 380W (Tc) |
FET 특징 | - | - | - | - |
Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
IRFS4115TRLPBF - Infineon Technologies에 대한 IRFS4115TRLPBF PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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