IRL3716PBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRL3716PBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRL3716PBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4mOhm @ 90A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 210W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5090 pF @ 10 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 180A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRL3716PBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRL3716PBF | IRL3803LPBF | IRL3803 | IRL3715ZLPBF |
| 제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Vgs (최대) | ±20V | ±16V | ±16V | ±20V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 전력 소비 (최대) | 210W (Tc) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | 200W (Tc) | 45W (Tc) |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4mOhm @ 90A, 10V | 6mOhm @ 71A, 10V | 6mOhm @ 71A, 10V | 11mOhm @ 15A, 10V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 180A (Tc) | 140A (Tc) | 140A (Tc) | 50A (Tc) |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 연속 | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V | 140 nC @ 4.5 V | 140 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | 30 V | 30 V | 20 V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5090 pF @ 10 V | 5000 pF @ 25 V | 5000 pF @ 25 V | 870 pF @ 10 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | TO-262 | TO-220AB | TO-262 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2.55V @ 250µA |
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IRL3803LPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A TO262IRL3803Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
IRL3715ZPBF MOSIRIRL3803LIRIRL3715ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 50A TO262IRL3803 MOSIRIRL3715ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 50A TO220ABIRL3803PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A TO220ABIRL3716Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 180A TO220AB
IRL3715ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 50A D2PAKIRL3716SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 180A D2PAKIRL3715ZSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 50A D2PAKIRL3803LPBF MOSIRIRL3715ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 50A TO220ABIRL3716LPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 180A TO262IRL3716STRLIRIRL3716SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 180A D2PAKIRL3715ZCSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 50A D2PAK| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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