IRLML5103GTRPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRLML5103GTRPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRLML5103GTRPBF과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Infineon Technologies | |
전압 - 테스트 | 75pF @ 25V | |
전압 - 파괴 | Micro3™/SOT-23 | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 600 mOhm @ 600mA, 10V | |
Vgs (최대) | 4.5V, 10V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
연속 | HEXFET® | |
RoHS 상태 | Cut Tape (CT) | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 760mA (Ta) | |
편광 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
다른 이름들 | IRLML5103GTRPBFCT | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount |
제품 속성 | 속성 값 | |
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수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | |
제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks | |
제조업체 부품 번호 | IRLML5103GTRPBF | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5.1nC @ 10V | |
IGBT 유형 | ±20V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1V @ 250µA | |
FET 특징 | P-Channel | |
확장 설명 | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | |
기술 | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30V | |
용량 비율 | 540mW (Ta) |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRLML5103GTRPBF와 비슷합니다
제품 속성 | ![]() |
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제품 모델 | IRLML5103GTRPBF | IRLML2803GTRPBF | IRLML5203 | IRLML5203GTRPBF |
제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | 2.5V @ 250µA |
RoHS 상태 | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | - | Tape & Reel (TR) |
전압 - 파괴 | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | - | Micro3™/SOT-23 |
제조업체 부품 번호 | IRLML5103GTRPBF | IRLML2803GTRPBF | - | IRLML5203GTRPBF |
연속 | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | - | 30 V | - |
제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks | 10 Weeks | - | 13 Weeks |
FET 특징 | P-Channel | N-Channel | - | P-Channel |
전압 - 테스트 | 75pF @ 25V | 85pF @ 25V | - | 510pF @ 25V |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
확장 설명 | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | - | P-Channel 30V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
다른 이름들 | IRLML5103GTRPBFCT | IRLML2803GTRPBFCT | - | IRLML5203GTRPBF-ND IRLML5203GTRPBFTR SP001567222 |
편광 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5.1nC @ 10V | 5nC @ 10V | 510 pF @ 25 V | 14nC @ 10V |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 760mA (Ta) | 1.2A (Ta) | 98mOhm @ 3A, 10V | 3A (Ta) |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 600 mOhm @ 600mA, 10V | 250 mOhm @ 910mA, 10V | 2.5V @ 250µA | 98 mOhm @ 3A, 10V |
용량 비율 | 540mW (Ta) | 540mW (Ta) | - | 1.25W (Ta) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30V | 30V | 3A (Ta) | 30V |
IGBT 유형 | ±20V | ±20V | - | ±20V |
Vgs (최대) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | ±20V | 4.5V, 10V |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | - | 1 (Unlimited) |
기술 | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 | - | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3 |
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일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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