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제품 센터이산 반도체 제품트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글IRLR2703TRLPBF
IRLR2703TRLPBF Image
이미지는 참조용으로만 제공되며 제품에 대한 자세한 내용은 사양을 참조하십시오.

IRLR2703TRLPBF - Infineon Technologies

제조사 제품 모델
IRLR2703TRLPBF
제조사
Infineon Technologies
Allelco 제품 모델
32D-IRLR2703TRLPBF
ECAD 모델
부품 설명
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
상세 설명
포장
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
데이터 시트
IRLR2703TRLPBF.pdf
유품: 5190

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수량

규격

IRLR2703TRLPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRLR2703TRLPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRLR2703TRLPBF과 유사한 사양을 가진 부품

제품 속성 속성 값  
제조사 Infineon Technologies  
아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 250µA  
Vgs (최대) ±16V  
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)  
제조업체 장치 패키지 D-Pak  
연속 HEXFET®  
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 45mOhm @ 14A, 10V  
전력 소비 (최대) 45W (Tc)  
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
패키지 Tape & Reel (TR)  
제품 속성 속성 값  
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)  
실장 형 Surface Mount  
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 450 pF @ 25 V  
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V  
FET 유형 N-Channel  
FET 특징 -  
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V  
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30 V  
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 23A (Tc)  

비슷한 규격의 부품

오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRLR2703TRLPBF와 비슷합니다

제품 속성 IRLR2703TRLPBF IRLR2705TRL IRLR2705PBF IRLR2703TRPBF
제품 모델 IRLR2703TRLPBF IRLR2705TRL IRLR2705PBF IRLR2703TRPBF
제조사 Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET 특징 - - - -
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30 V 55 V 55 V 30 V
Vgs (최대) ±16V ±16V ±16V ±16V
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
실장 형 Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V 25 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 23A (Tc) 28A (Tc) 28A (Tc) 23A (Tc)
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 45mOhm @ 14A, 10V 40mOhm @ 17A, 10V 40mOhm @ 17A, 10V 45mOhm @ 14A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET 유형 N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
제조업체 장치 패키지 D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 450 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V
패키지 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
전력 소비 (최대) 45W (Tc) 68W (Tc) 68W (Tc) 45W (Tc)
연속 HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

IRLR2703TRLPBF 데이터 시트 PDF

IRLR2703TRLPBF - Infineon Technologies에 대한 IRLR2703TRLPBF PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.

기타 관련 문서
Part Number Guide.pdf
PCN 노후화/ EOL
Multiple Devices 25/Apr/2014.pdf

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영국 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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