IRLU3303PBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRLU3303PBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRLU3303PBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±16V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | I-PAK | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 31mOhm @ 21A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 68W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 870 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRLU3303PBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRLU3303PBF | IRLU3636PBF | IRLU3103 | IRLU2905Z |
| 제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 870 pF @ 25 V | 3779 pF @ 50 V | 1600 pF @ 25 V | 1570 pF @ 25 V |
| 연속 | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 60 V | 30 V | 55 V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V | 49 nC @ 4.5 V | 50 nC @ 4.5 V | 35 nC @ 5 V |
| Vgs (최대) | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 제조업체 장치 패키지 | I-PAK | I-PAK | I-PAK | I-PAK |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 31mOhm @ 21A, 10V | 6.8mOhm @ 50A, 10V | 19mOhm @ 33A, 10V | 13.5mOhm @ 36A, 10V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) | 50A (Tc) | 55A (Tc) | 42A (Tc) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | 2.5V @ 100µA | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 전력 소비 (최대) | 68W (Tc) | 143W (Tc) | 107W (Tc) | 110W (Tc) |
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IRLU3636PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 50A IPAKIRLU3636IRIRLU3103Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 55A I-PAKIRLU2905ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 42A I-PAKIRLU3105PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 25A IPAKIRLU3636-701TRPInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 50A IPAKIRLU3708PBFIRIRLU3105IRIRLU2905ZPBFInternational RectifierPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4IRLU3110ZIRIRLU3705ZPBF MOSIRIRLU3410PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 17A IPAKIRLU3114ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 42A I-PAKIRLU3303Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 35A I-PAKIRLU3410IRIRLU3705ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 42A IPAKIRLU3103PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 55A IPAKIRLU3303PBF MOSIR| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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