DGD0506AFN-7 기술 사양
Diodes Incorporated - DGD0506AFN-7 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Diodes Incorporated - DGD0506AFN-7과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Diodes Incorporated | |
| 전압 - 공급 | 8V ~ 14V | |
| 제조업체 장치 패키지 | W-DFN3030-10 | |
| 연속 | - | |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 17ns, 12ns | |
| 패키지 / 케이스 | 10-WFDFN Exposed Pad | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TA) | |
| 입력 주파수 | 2 |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 2.4V | |
| 입력 유형 | CMOS/TTL | |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 50 V | |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET | |
| 구동 구성 | Half-Bridge | |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 1.5A, 2A | |
| 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Synchronous | |
| 기본 제품 번호 | DGD0506 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Diodes Incorporated DGD0506AFN-7와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | DGD0506AFN-7 | DGD05473FN-7 | DGD2003S8-13 | DGD0507AFN-7 |
| 제조사 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 기본 제품 번호 | DGD0506 | DGD05473 | DGD2003 | DGD0507 |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 1.5A, 2A | 1.5A, 2.5A | 290mA, 600mA | 1.5A, 2A |
| 구동 구성 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| 패키지 / 케이스 | 10-WFDFN Exposed Pad | 10-WFDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 10-WFDFN Exposed Pad |
| 입력 유형 | CMOS/TTL | CMOS/TTL | Non-Inverting | CMOS/TTL |
| 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Synchronous | Independent | Synchronous | Independent |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 50 V | 50 V | 200 V | 50 V |
| 연속 | - | - | - | - |
| 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 2.4V | 0.8V, 2.4V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.4V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 제조업체 장치 패키지 | W-DFN3030-10 | W-DFN3030-10 | 8-SO Type TH | W-DFN3030-10 |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 17ns, 12ns | 16ns, 12ns | 70ns, 35ns | 16ns, 18ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 입력 주파수 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 전압 - 공급 | 8V ~ 14V | 0.3V ~ 60V | 10V ~ 20V | 8V ~ 14V |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
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DGD05473FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD2003S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD0507AFN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
DGD2101S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD21032S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD0547FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD2005S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
DGD05473FNDiodes Incorporated
DGD0506AM10-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOPDGD0507FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD05473FNQ-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD2101MS8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HI/LO-SIDE 8SO 2.5KDGD2103AS8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD2103MS8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD05463FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD0503FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD1503S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD05062FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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