DMG1016UDWQ-7 기술 사양
Diodes Incorporated - DMG1016UDWQ-7 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Diodes Incorporated - DMG1016UDWQ-7과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Diodes Incorporated | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101 | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V | |
| 전력 - 최대 | 330mW (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V | |
| FET 특징 | - | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.066A (Ta), 845mA (Ta) | |
| 구성 | N and P-Channel Complementary | |
| 기본 제품 번호 | DMG1016 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Diodes Incorporated DMG1016UDWQ-7와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | DMG1016UDWQ-7 | DMG1016UDW-7 | DMG1024UV-7 | DMG1026UV-7 |
| 제조사 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 전력 - 최대 | 330mW (Ta) | 330mW | 530mW | 580mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V | 450mOhm @ 600mA, 4.5V | 450mOhm @ 600mA, 4.5V | 1.8Ohm @ 500mA, 10V |
| 구성 | N and P-Channel Complementary | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 기본 제품 번호 | DMG1016 | DMG1016 | DMG1024 | DMG1026 |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V | 60.67pF @ 10V | 60.67pF @ 16V | 32pF @ 25V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 20V | 20V | 60V |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-363 | SOT-363 | SOT-563 | SOT-563 |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V | 0.74nC @ 4.5V | 0.74nC @ 4.5V | 0.45nC @ 10V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.066A (Ta), 845mA (Ta) | 1.07A, 845mA | 1.38A | 410mA |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1.8V @ 250µA |
| FET 특징 | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
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DMG1013T-7DICT-NDTexas InstrumentsDMG1016UDW-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 20V SOT363
DMG1016V-7 MOSDiodes IncorporatedDMG1023UV-7-55Diodes IncorporatedDMG1016UDWDiodes IncorporatedDMG1024UV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563DMG1026UV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563
DMG1013UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 820MA SOT323DMG1023UV-13Diodes IncorporatedDMG1023UV-7 MOSDiodes IncorporatedDMG1016V-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 20V SOT563DMG1013UWDiodes IncorporatedDMG1023UVQ-13Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563DMG1013UW-7 MOSDiodes IncorporatedDMG1023UV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563DMG1013T-7-FDiodes IncorporatedDMG1013TQ-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 460MA SOT523DMG1013UW-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 820MA SOT323| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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