DMG4812SSS-13 기술 사양
Diodes Incorporated - DMG4812SSS-13 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Diodes Incorporated - DMG4812SSS-13과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Diodes Incorporated | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.3V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±12V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | 8-SO | |
연속 | - | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 15mOhm @ 10.7A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 1.54W (Ta) | |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1849 pF @ 15 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | Schottky Diode (Body) | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A (Ta) | |
기본 제품 번호 | DMG4812 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Diodes Incorporated DMG4812SSS-13와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | DMG4812SSS-13 | DMG4N60SK3-13 | DMG4N60SJ3 | DMG4800LK3-13 |
제조사 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
제조업체 장치 패키지 | 8-SO | TO-252-3 | TO-251 | TO-252-3 |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 600 V | 600 V | 30 V |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.3V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 1.6V @ 250µA |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V | 14.3 nC @ 10 V | 14.3 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 5 V |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs (최대) | ±12V | ±30V | ±30V | ±25V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 특징 | Schottky Diode (Body) | - | - | - |
연속 | - | - | - | - |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1849 pF @ 15 V | 532 pF @ 25 V | 532 pF @ 25 V | 798 pF @ 10 V |
기본 제품 번호 | DMG4812 | DMG4 | DMG4 | DMG4800 |
전력 소비 (최대) | 1.54W (Ta) | 48W (Ta) | 41W (Tc) | 1.71W (Ta) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 15mOhm @ 10.7A, 10V | 2.3Ohm @ 2A, 10V | 2.5Ohm @ 2A, 10V | 17mOhm @ 9A, 10V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A (Ta) | 3.7A (Tc) | 3A (Tc) | 10A (Ta) |
DMG4812SSS-13 - Diodes Incorporated에 대한 DMG4812SSS-13 PDF 데이터 시트 및 Diodes Incorporated 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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