DMNH10H028SPS-13 기술 사양
Diodes Incorporated - DMNH10H028SPS-13 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Diodes Incorporated - DMNH10H028SPS-13과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
제조사 | Diodes Incorporated | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | PowerDI5060-8 | |
연속 | - | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 28mOhm @ 20A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 1.6W (Ta) | |
패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2245 pF @ 50 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A (Tc) | |
기본 제품 번호 | DMNH10 |
기인하다 | 기술 |
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RoHS 상태 | |
수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
상태에 도달하십시오 | REACH Affected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Diodes Incorporated DMNH10H028SPS-13와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | DMNH10H028SPS-13 | DMNH45M7SCT | DMN7022LFGQ-7 | DMN67D8L-7 |
제조사 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
FET 특징 | - | - | - | - |
전력 소비 (최대) | 1.6W (Ta) | 240W (Tc) | 2W (Ta) | 340mW (Ta) |
연속 | - | - | - | - |
제조업체 장치 패키지 | PowerDI5060-8 | TO-220-3 | PowerDI3333-8 | SOT-23-3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A (Tc) | 220A (Tc) | 23A (Tc) | 210mA (Ta) |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 28mOhm @ 20A, 10V | 6mOhm @ 20A, 10V | 22mOhm @ 7.2A, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 40 V | 75 V | 60 V |
실장 형 | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | TO-220-3 | 8-PowerVDFN | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
기본 제품 번호 | DMNH10 | DMNH45 | DMN7022 | DMN67 |
Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2245 pF @ 50 V | 4043 pF @ 20 V | 2737 pF @ 35 V | 22 pF @ 25 V |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | 64.7 nC @ 10 V | 56.5 nC @ 10 V | 0.82 nC @ 10 V |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
DMNH10H028SPS-13 - Diodes Incorporated에 대한 DMNH10H028SPS-13 PDF 데이터 시트 및 Diodes Incorporated 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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