ZXMD65P02N8TC 기술 사양
Diodes Incorporated - ZXMD65P02N8TC 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Diodes Incorporated - ZXMD65P02N8TC과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Diodes Incorporated | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 700mV @ 250µA (Min) | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SO | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 50mOhm @ 2.9A, 4.5V | |
| 전력 - 최대 | 1.75W | |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | - | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 960pF @ 15V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | |
| FET 특징 | - | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A | |
| 구성 | 2 P-Channel (Dual) | |
| 기본 제품 번호 | ZXMD65P02 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Diodes Incorporated ZXMD65P02N8TC와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | ZXMD65P02N8TC | ZXMD65P03N8TA | ZXMD63P03XTA | ZXMHC3A01T8TA |
| 제조사 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 960pF @ 15V | 930pF @ 25V | 270pF @ 25V | 190pF @ 25V |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SO | 8-SO | 8-MSOP | SM8 |
| 연속 | - | - | - | - |
| 기본 제품 번호 | ZXMD65P02 | ZXMD65P03 | ZXMD63 | ZXMHC3 |
| 작동 온도 | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET 특징 | - | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 50mOhm @ 2.9A, 4.5V | 55mOhm @ 4.9A, 10V | 185mOhm @ 1.2A, 10V | 120mOhm @ 2.5A, 10V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A | 3.8A | - | 2.7A, 2A |
| 구성 | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 700mV @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA (Min) | 3V @ 250µA |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | SOT-223-8 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 30V | 30V | 30V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 전력 - 최대 | 1.75W | 1.25W | 1.04W | 1.3W |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 25.7nC @ 10V | 7nC @ 10V | 3.9nC @ 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
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ZXMD65P03N8TADiodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOICZXMD63P03XTADiodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 30V 8-MSOPZXMD65P02N8ZETEXZXMHC3F381N8TC MOSDiodes IncorporatedZXMHC3A01T8TADiodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8ZXMD63N02XTADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOPZXMD63N02XTCDiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOPZXMD63N02XTA MOSZETEXZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8ZXMHC10A07N8TCDiodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOICZXMD65P03N8TCVBSEMIZXMD63P03XTA MOSDiodes IncorporatedZXMHC3A01N8TCDiodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOICZXMD63N03XTADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOPZXMD63N03XHAMOSZXMHC3A01TAZETEXZXMHC3F381N8TCDiodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOICZXMD63N03XTA MOSDiodes Incorporated| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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