ZXMN3A04DN8TA 기술 사양
Diodes Incorporated - ZXMN3A04DN8TA 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Diodes Incorporated - ZXMN3A04DN8TA과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
제조사 | Diodes Incorporated | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA (Min) | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | 8-SO | |
연속 | - | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 20mOhm @ 12.6A, 10V | |
전력 - 최대 | 1.81W | |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1890pF @ 15V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 36.8nC @ 10V | |
FET 특징 | Logic Level Gate | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.5A | |
구성 | 2 N-Channel (Dual) | |
기본 제품 번호 | ZXMN3 |
기인하다 | 기술 |
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RoHS 상태 | |
수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8TA와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | ZXMN3A04DN8TA | ZXMN3A06DN8TC | ZXMN3A06DN8TA | ZXMN3A04DN8TC |
제조사 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
전력 - 최대 | 1.81W | 1.8W | 1.8W | 1.81W |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1890pF @ 15V | 796pF @ 25V | 796pF @ 25V | 1890pF @ 15V |
구성 | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 36.8nC @ 10V | 17.5nC @ 10V | 17.5nC @ 10V | 36.8nC @ 10V |
기본 제품 번호 | ZXMN3 | ZXMN3 | ZXMN3 | ZXMN3 |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
FET 특징 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.5A | 4.9A | 4.9A | 6.5A |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
제조업체 장치 패키지 | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA (Min) |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 20mOhm @ 12.6A, 10V | 35mOhm @ 9A, 10V | 35mOhm @ 9A, 10V | 20mOhm @ 12.6A, 10V |
연속 | - | - | - | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V |
ZXMN3A04DN8TA - Diodes Incorporated에 대한 ZXMN3A04DN8TA PDF 데이터 시트 및 Diodes Incorporated 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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