이미지는 참조용으로만 제공되며 제품에 대한 자세한 내용은 사양을 참조하십시오.
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EPC2039 - EPC
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- GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
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- 유품: 43610
EPC2039 기술 사양
EPC - EPC2039 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 EPC - EPC2039과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | EPC | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 2mA | |
| Vgs (최대) | +6V, -4V | |
| 과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| 제조업체 장치 패키지 | Die | |
| 연속 | eGaN® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 25mOhm @ 6A, 5V | |
| 전력 소비 (최대) | - | |
| 패키지 / 케이스 | Die | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 210 pF @ 40 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.4 nC @ 5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.8A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | EPC20 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 EPC EPC2039와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | EPC2039 | EPC2202 | EPC2015 | EPC2203 |
| 제조사 | EPC | EPC | EPC | EPC |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.4 nC @ 5 V | 4 nC @ 5 V | 11.6 nC @ 5 V | 0.83 nC @ 5 V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V | 5V | 5V | 5V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 25mOhm @ 6A, 5V | 17mOhm @ 11A, 5V | 4mOhm @ 33A, 5V | 80mOhm @ 1A, 5V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs (최대) | +6V, -4V | +5.75V, -4V | +6V, -5V | +5.75V, -4V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 기본 제품 번호 | EPC20 | - | EPC20 | - |
| 전력 소비 (최대) | - | - | - | - |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 연속 | eGaN® | Automotive, AEC-Q101, eGaN® | eGaN® | Automotive, AEC-Q101, eGaN® |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80 V | 80 V | 40 V | 80 V |
| 과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 210 pF @ 40 V | 415 pF @ 50 V | 1200 pF @ 20 V | 88 pF @ 50 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.8A (Ta) | 18A (Ta) | 33A (Ta) | 1.7A (Ta) |
| 패키지 / 케이스 | Die | Die | Die | Die |
| 제조업체 장치 패키지 | Die | Die | Die | Die |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 2mA | 2.5V @ 3mA | 2.5V @ 9mA | 2.5V @ 600µA |
EPC2039 - EPC에 대한 EPC2039 PDF 데이터 시트 및 EPC 문서를 다운로드하십시오.
EPC2202EPCGANFET N-CH 80V 18A DIEEPC2015EPCGANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINEEPC2203EPCGANFET N-CH 80V 1.7A DIEEPC2015CEPCGANFET N-CH 40V 53A DIEEPC2038EPCGANFET N-CH 100V 500MA DIEEPC2012CEPCGANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINEEPC2051EPCGANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC2024EPCGANFET NCH 40V 60A DIE
EPC2L120NAltera (Intel)EPC2111EPCGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRIDEPC2106EPCGANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIEEPC2016CEPCGANFET N-CH 100V 18A DIEEPC2014CEPCGANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINEEPC2036EPCGANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC2206EPCGANFET N-CH 80V 90A DIEEPC2019EPCGANFET N-CH 200V 8.5A DIEEPC2214EPCGANFET N-CH 80V 10A DIEEPC2L120Altera (Intel)| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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