FDB8878 기술 사양
Fairchild Semiconductor - FDB8878 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Fairchild Semiconductor - FDB8878과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Fairchild (onsemi) | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | D2PAK (TO-263) | |
| 연속 | PowerTrench® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 14mOhm @ 40A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 47.3W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| 패키지 | Bulk |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1235 pF @ 15 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 48A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Fairchild Semiconductor FDB8878와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FDB8878 | FDB8880 | FDB8870 | FDB8880 |
| 제조사 | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 48A (Tc) | 11A (Ta), 54A (Tc) | 23A (Ta), 160A (Tc) | 11A (Ta), 54A (Tc) |
| 전력 소비 (최대) | 47.3W (Tc) | 55W (Tc) | 160W (Tc) | 55W (Tc) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 패키지 | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 132 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 14mOhm @ 40A, 10V | 11.6mOhm @ 40A, 10V | 3.9mOhm @ 35A, 10V | 11.6mOhm @ 40A, 10V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 연속 | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1235 pF @ 15 V | 1240 pF @ 15 V | 5200 pF @ 15 V | 1240 pF @ 15 V |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 제조업체 장치 패키지 | D2PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | TO-263AB |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
FDB8876 MOSFairchild (onsemi)FDB8880onsemiMOSFET N-CH 30V 11A/54A TO263ABFDB8870Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABFDB8880 MOSFairchild (onsemi)FDB8860 MOSFairchild (onsemi)FDB8880-NLFairchild (onsemi)FDB8880Fairchild Semiconductor11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,FDB8896 MOSFairchild (onsemi)FDB8876Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 71A TO263ABFDB8870onsemiMOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABFDB8878onsemiMOSFET N-CH 30V 48A TO263FDB8876onsemiMOSFET N-CH 30V 71A TO263ABFDB8896onsemiMOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263ABFDB8870 MOSFairchild (onsemi)FDB8880TMFairchild (onsemi)FDB8874 MOSFairchild (onsemi)FDB8874onsemiMOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263ABFDB8896Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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