FDD8445 기술 사양
Fairchild Semiconductor - FDD8445 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Fairchild Semiconductor - FDD8445과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Fairchild (onsemi) | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-252AA | |
| 연속 | PowerTrench® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8.7mOhm @ 50A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 79W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| 패키지 | Bulk |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4050 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 70A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Fairchild Semiconductor FDD8445와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FDD8445 | FDD8444 | FDD8451 | FDD8444L |
| 제조사 | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 전력 소비 (최대) | 79W (Tc) | 153W (Tc) | 30W (Tc) | 153W (Tc) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 70A (Tc) | 145A (Tc) | 9A (Ta), 28A (Tc) | 16A (Ta), 50A (Tc) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 패키지 | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 연속 | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | 116 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 60 nC @ 5 V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8.7mOhm @ 50A, 10V | 5.2mOhm @ 50A, 10V | 24mOhm @ 9A, 10V | 5.2mOhm @ 50A, 10V |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-252AA | TO-252AA | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4050 pF @ 25 V | 6195 pF @ 25 V | 990 pF @ 20 V | 5530 pF @ 25 V |
FDD8444-NLVBsemiFDD8444onsemiMOSFET N-CH 40V 145A TO252AAFDD8444L MOSFairchild (onsemi)FDD8447L MOSFairchild (onsemi)FDD8451onsemiMOSFET N-CH 40V 9A/28A DPAKFDD8442Fairchild (onsemi)FDD8444LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AAFDD8451Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FDD8447LonsemiMOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAKFDD8445onsemiMOSFET N-CH 40V 70A TO252AAFDD8445 MOSFairchild (onsemi)FDD8444 MOSFairchild (onsemi)FDD8447L-F085onsemiMOSFET N-CH 40V 50A DPAKFDD8447LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FDD8445-F085onsemiMOSFET N-CH 40V 70A TO252AAFDD8426H-F085AFairchild (onsemi)FDD8444LonsemiMOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AAFDD844LVBsemi| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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