FQP19N10L 기술 사양
Fairchild Semiconductor - FQP19N10L 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Fairchild Semiconductor - FQP19N10L과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Fairchild (onsemi) | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 연속 | QFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 100mOhm @ 9.5A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 75W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 870 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18 nC @ 5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 19A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Fairchild Semiconductor FQP19N10L와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FQP19N10L | FQP19N20L | FQP17P10 | FQP18N50V2 |
| 제조사 | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 200 V | 100 V | 500 V |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 100mOhm @ 9.5A, 10V | 140mOhm @ 10.5A, 10V | 190mOhm @ 8.25A, 10V | 265mOhm @ 9A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±30V | ±30V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 870 pF @ 25 V | 2200 pF @ 25 V | 1100 pF @ 25 V | 3290 pF @ 25 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18 nC @ 5 V | 35 nC @ 5 V | 39 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V | 5V, 10V | 10V | 10V |
| 연속 | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| 전력 소비 (최대) | 75W (Tc) | 140W (Tc) | 100W (Tc) | 208W (Tc) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 19A (Tc) | 21A (Tc) | 16.5A (Tc) | 18A (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
FQP19N20LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 21A TO220-3FQP17P10onsemiMOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3FQP19N20 MOSFairchild (onsemi)FQP18N50V2onsemiMOSFET N-CH 500V 18A TO220-3FQP19N20LonsemiMOSFET N-CH 200V 21A TO220-3FQP19N20onsemiMOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3FQP19N20CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP17P10 MOSFairchild (onsemi)FQP19N10LonsemiMOSFET N-CH 100V 19A TO220-3FQP19N20ConsemiMOSFET N-CH 200V 19A TO220-3FQP19N10onsemiMOSFET N-CH 100V 19A TO220-3FQP18N20Fairchild (onsemi)FQP19N20C MOSFairchild (onsemi)FQP18N50V2Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 18A TO220-3FQP18N20V2onsemiMOSFET N-CH 200V 18A TO220-3FQP19N10 MOSFairchild (onsemi)FQP18N50FSCFQP19N20Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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