FQPF3N80 기술 사양
Fairchild Semiconductor - FQPF3N80 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Fairchild Semiconductor - FQPF3N80과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Fairchild (onsemi) | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220F-3 | |
| 연속 | QFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5Ohm @ 900mA, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 39W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 690 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 800 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.8A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Fairchild Semiconductor FQPF3N80와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FQPF3N80 | FQPF3N50C | FQPF3N50C | FQPF3N25 |
| 제조사 | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5Ohm @ 900mA, 10V | 2.5Ohm @ 1.5A, 10V | 2.5Ohm @ 1.5A, 10V | 2.2Ohm @ 1.15A, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 전력 소비 (최대) | 39W (Tc) | 25W (Tc) | 25W (Tc) | 27W (Tc) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 690 pF @ 25 V | 365 pF @ 25 V | 365 pF @ 25 V | 170 pF @ 25 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 800 V | 500 V | 500 V | 250 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 5.2 nC @ 10 V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.8A (Tc) | 3A (Tc) | 3A (Tc) | 2.3A (Tc) |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 연속 | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
FQPF3N50CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 3A TO220FFQPF3N50ConsemiMOSFET N-CH 500V 3A TO220FFQPF3N25onsemiMOSFET N-CH 250V 2.3A TO220FFQPF3N80onsemiMOSFET N-CH 800V 1.8A TO220FFQPF3N60CVBSEMIFQPF3N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 2.1A TO220FFQPF3N40onsemiMOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FFQPF34N20LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 17.5A TO220FFQPF3N90CFairchild (onsemi)FQPF3N25Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 2.3A TO220FFQPF3N40Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FFQPF3N80CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQPF3P20onsemiMOSFET P-CH 200V 2.2A TO220FFQPF3P20Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 200V 2.2A TO220FFQPF3N90onsemiMOSFET N-CH 900V 2.1A TO220FFQPF3N50CTFairchild (onsemi)FQPF3P20 MOSFairchild (onsemi)FQPF3N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 3A TO220F| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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