FQPF9N90CT 기술 사양
Fairchild Semiconductor - FQPF9N90CT 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Fairchild Semiconductor - FQPF9N90CT과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Fairchild (onsemi) | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220F-3 | |
| 연속 | QFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.4Ohm @ 4A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 68W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | |
| 패키지 | Bulk |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2730 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 900 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Fairchild Semiconductor FQPF9N90CT와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FQPF9N90CT | FQPF9N50CF | FQPF9N50C | FQPF9N90CT |
| 제조사 | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A (Tc) | 9A (Tc) | 9A (Tc) | 8A (Tc) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 연속 | QFET® | FRFET® | QFET® | QFET® |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 900 V | 500 V | 500 V | 900 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 패키지 | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.4Ohm @ 4A, 10V | 850mOhm @ 4.5A, 10V | 800mOhm @ 4.5A, 10V | 1.4Ohm @ 4A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 68W (Tc) | 44W (Tc) | 44W (Tc) | 68W (Tc) |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2730 pF @ 25 V | 1030 pF @ 25 V | 1030 pF @ 25 V | 2730 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 58 nC @ 10 V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FQPF9N50CFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FQPF9N50ConsemiMOSFET N-CH 500V 9A TO220FFQPF9N90CTonsemiMOSFET N-CH 900V 8A TO220FFQPF9N25CRDTU MOSFairchild (onsemi)FQPF9N30onsemiMOSFET N-CH 300V 6A TO220F
FQPF9N50CFonsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FQPF9N25CYDTU MOSFairchild (onsemi)FQPF9N50CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3FQPF9N50onsemiMOSFET N-CH 500V 5.3A TO220FFQPF9P25onsemiMOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
FQPF9N25CYDTUonsemiMOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3FQPF9N50CF MOSFairchild (onsemi)FQPF9N25CYDTUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3FQPF9N90CT MOSAMI Semiconductor/onsemiFQPF9N90FCFQPF9N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 8A TO220FFQPF9N30Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 300V 6A TO220FFQPF9N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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