HUFA76629D3S 기술 사양
Fairchild Semiconductor - HUFA76629D3S 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Fairchild Semiconductor - HUFA76629D3S과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Fairchild (onsemi) | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±16V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-252, (D-Pak) | |
| 연속 | UltraFET™ | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 52mOhm @ 20A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 110W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1285 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Fairchild Semiconductor HUFA76629D3S와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | HUFA76629D3S | HUFA76609D3 | HUFA76445S3S | HUFA76633S3S |
| 제조사 | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 연속 | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs (최대) | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-252, (D-Pak) | I-PAK | D²PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Tc) | 10A (Tc) | 75A (Tc) | 39A (Tc) |
| 실장 형 | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1285 pF @ 25 V | 425 pF @ 25 V | 4965 pF @ 25 V | 1820 pF @ 25 V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 52mOhm @ 20A, 10V | 160mOhm @ 10A, 10V | 6.5mOhm @ 75A, 10V | 35mOhm @ 39A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 100 V | 60 V | 100 V |
| 전력 소비 (최대) | 110W (Tc) | 49W (Tc) | 310W (Tc) | 145W (Tc) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
HUFA76609D3onsemiMOSFET N-CH 100V 10A IPAKHUFA76445S3SonsemiMOSFET N-CH 60V 75A D2PAKHUFA76633S3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
HUFA76629D3SonsemiMOSFET N-CH 100V 20A TO252AAHUFA76639S3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 51A D2PAKHUFA76609D3STonsemiMOSFET N-CH 100V 10A TO252AAHUFA76609D3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 10A TO252AAHUFA76619D3SonsemiMOSFET N-CH 100V 18A TO252AAHUFA766443S3Fairchild (onsemi)HUFA76443S3SonsemiMOSFET N-CH 60V 75A D2PAKHUFA76639S3SonsemiMOSFET N-CH 100V 51A D2PAKHUFA76633P3Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 39A TO220-3HUFA76633S3SonsemiMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
HUFA76633P3onsemiMOSFET N-CH 100V 39A TO220-3HUFA76645S3SonsemiMOSFET N-CH 100V 75A D2PAKHUFA76504DK8TFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
HUFA76504DK8TonsemiMOSFET 2N-CH 80V 8-SOICHUFA76445S3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 75A D2PAK| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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