RF1S50N06SM9A 기술 사양
Fairchild Semiconductor - RF1S50N06SM9A 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Fairchild Semiconductor - RF1S50N06SM9A과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Fairchild (onsemi) | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 22mOhm @ 50A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 131W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| 패키지 | Bulk |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2020 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 150 nC @ 20 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Fairchild Semiconductor RF1S50N06SM9A와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | RF1S50N06SM9A | RF1S4N100SM9A | RF1S70N03 | RF1S630SM9A |
| 제조사 | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation | Harris Corporation | Harris Corporation |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | - | - | 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 전력 소비 (최대) | 131W (Tc) | 150W (Tc) | 150W (Tc) | 75W (Tc) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 22mOhm @ 50A, 10V | 3.5Ohm @ 2.5A, 10V | 10mOhm @ 70A, 10V | 400mOhm @ 5A, 10V |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263AB | TO-263AB | TO-262AA | TO-263AB |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2020 pF @ 25 V | - | 3300 pF @ 25 V | 600 pF @ 25 V |
| 연속 | - | - | - | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 1000 V | 30 V | 200 V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 패키지 | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 150 nC @ 20 V | - | 260 nC @ 20 V | 30 nC @ 10 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A (Tc) | 4.3A (Tc) | 70A (Tc) | 6A (Tc) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
RF1S45N03LSMVBSEMIRF1S42N03LSMHARRISRF1S4N100SM9AHarris CorporationMOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263ABRF1S40N10LESM
RF1S640SM9A MOSFairchild (onsemi)RF1S70N03Harris CorporationMOSFET N-CH 30V 70A TO262AARF1S70N03SM9A MOSHARRISRF1S530SMRF1S40N10LESM9AR4363HARRISRF1S630SM9AHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET
RF1S42N03LSM9APanasonicRF1S540Harris Corporation28A, 100V, 0.077 OHM, N-CHANNELRF1S40N10LEHarris Corporation40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL,RF1S640SM9AFairchild (onsemi)RF1S50N06SMVBSEMIRF1S45N06LEHarris Corporation45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,RF1S70N03 MOSFairchild (onsemi)RF1S540SMHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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