PMDPB65UP,115 기술 사양
NXP USA Inc. - PMDPB65UP,115 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 NXP USA Inc. - PMDPB65UP,115과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | NXP Semiconductors | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | 6-HUSON (2x2) | |
연속 | - | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 70mOhm @ 1A, 4.5V | |
전력 - 최대 | 520mW | |
패키지 / 케이스 | 6-UDFN Exposed Pad | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 380pF @ 10V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6nC @ 4.5V | |
FET 특징 | Logic Level Gate | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.5A | |
구성 | 2 P-Channel (Dual) | |
기본 제품 번호 | PMDPB |
오른쪽 세 부분의 규격은 NXP USA Inc. PMDPB65UP,115와 비슷합니다
제품 속성 | ![]() |
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제품 모델 | PMDPB65UP,115 | PMDPB70EN,115 | PMDPB70EN,115 | PMDPB58UPE,115 |
제조사 | NXP USA Inc. | Nexperia USA Inc. | NXP USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6nC @ 4.5V | 4.5nC @ 10V | 4.5nC @ 10V | 9.5nC @ 4.5V |
작동 온도 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
기본 제품 번호 | PMDPB | PMDPB70 | PMDPB70 | PMDPB58 |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 30V | 30V | 20V |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.5A | 3.5A | 3.5A | 3.6A |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 950mV @ 250µA |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 380pF @ 10V | 130pF @ 15V | 130pF @ 15V | 804pF @ 10V |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 70mOhm @ 1A, 4.5V | 57mOhm @ 3.5A, 10V | 57mOhm @ 3.5A, 10V | 67mOhm @ 2A, 4.5V |
구성 | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
제조업체 장치 패키지 | 6-HUSON (2x2) | 6-HUSON (2x2) | 6-HUSON (2x2) | 6-HUSON (2x2) |
패키지 / 케이스 | 6-UDFN Exposed Pad | 6-UFDFN Exposed Pad | 6-UFDFN Exposed Pad | 6-UFDFN Exposed Pad |
FET 특징 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
연속 | - | - | - | - |
전력 - 최대 | 520mW | 510mW | 510mW | 515mW |
PMDPB65UP,115 - NXP USA Inc.에 대한 PMDPB65UP,115 PDF 데이터 시트 및 NXP USA Inc. 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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