PMV30XN,215 기술 사양
NXP USA Inc. - PMV30XN,215 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 NXP USA Inc. - PMV30XN,215과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | NXP Semiconductors | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±12V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-23 (TO-236AB) | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 35mOhm @ 3.2A, 4.5V | |
| 전력 소비 (최대) | 380mW (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 420 pF @ 15 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.4 nC @ 4.5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.2A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | PMV3 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 NXP USA Inc. PMV30XN,215와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | PMV30XN,215 | PMV30UN2R | PMV30XPEAR | PMV30UN,215 |
| 제조사 | NXP USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | NXP USA Inc. |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 1.25V @ 250µA | 700mV @ 1mA (Typ) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| Vgs (최대) | ±12V | ±12V | ±12V | ±8V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.2A (Ta) | 4.2A (Ta) | 4.5A (Ta) | 5.7A (Tc) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 35mOhm @ 3.2A, 4.5V | 32mOhm @ 4.2A, 4.5V | 34mOhm @ 3A, 4.5V | 36mOhm @ 2A, 4.5V |
| 연속 | - | - | Automotive, AEC-Q101 | TrenchMOS™ |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V | 1.2V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.4 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 4.5 V | 7.4 nC @ 4.5 V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-23 (TO-236AB) | TO-236AB | TO-236AB | SOT-23 (TO-236AB) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 420 pF @ 15 V | 655 pF @ 10 V | 1465 pF @ 10 V | 460 pF @ 20 V |
| 전력 소비 (최대) | 380mW (Ta) | 490mW (Ta), 5W (Tc) | 490mW (Ta), 5.435W (Tc) | 1.9W (Tc) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 기본 제품 번호 | PMV3 | PMV30 | PMV30 | PMV3 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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PMV30XPARNXP SemiconductorsPMV30UN2RNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236ABPMV31XN.215NexperiaPMV30XPEARNexperia USA Inc.MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236ABPMV30UN,215NXP USA Inc.MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236ABPMV30UN+215Freescale / NXP SemiconductorsPMV30UN215Freescale / NXP SemiconductorsPMV30UN2+215Freescale / NXP SemiconductorsPMV30XN215Freescale / NXP SemiconductorsPMV31XN,215NXP USA Inc.MOSFET N-CH 20V 5.9A TO236AB
PMV30UNNEXPPMV30XNFreescale / NXP SemiconductorsPMV30UN2NexperiaPMV31XNFreescale / NXP SemiconductorsPMV30XPEANexperiaPMV30ENEARNexperiaPMV32UPFreescale / NXP SemiconductorsPMV30XNENexperia| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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