GUVA-S12SD 기술 사양
Genicom Co., Ltd. - GUVA-S12SD 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Genicom Co., Ltd. - GUVA-S12SD과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Genicom | |
| 파장 | - | |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대) | 5 V | |
| 시야각 | - | |
| 스펙트럼 범위 | 240nm ~ 370nm | |
| 연속 | - | |
| 응답 성 @ nm의 | 0.14 A/W @ 350nm | |
| 응답 시간 | - |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 패키지 / 케이스 | 2-SMD, J-Lead | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | |
| 작동 온도 | -30°C ~ 85°C | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 다이오드 유형 | Schottky | |
| 전류 - 암전류 (통상) | 1nA (Max) | |
| 색상 - 강화 | Ultraviolet (UV) | |
| 활동 지역 | 0.076mm² |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.49.1050 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Genicom Co., Ltd. GUVA-S12SD와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | GUVA-S12SD | NJL6402R-2-TE1 | VBP104FAS | TEMD7000X01 |
| 제조사 | Genicom Co., Ltd. | Nisshinbo Micro Devices Inc. | Vishay Semiconductor Opto Division | Vishay Semiconductor Opto Division |
| 전류 - 암전류 (통상) | 1nA (Max) | 100pA | 2nA | 1nA |
| 응답 시간 | - | 2ns | 100ns | 100ns |
| 색상 - 강화 | Ultraviolet (UV) | Infrared(NIR)/Blue | - | - |
| 시야각 | - | - | 130° | 120° |
| 스펙트럼 범위 | 240nm ~ 370nm | - | 780nm ~ 1050nm | 350nm ~ 1120nm |
| 파장 | - | 800nm | 950nm | 900nm |
| 작동 온도 | -30°C ~ 85°C | -30°C ~ 85°C | -40°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C |
| 활동 지역 | 0.076mm² | 1mm² | 4.4mm² | 0.23mm² |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대) | 5 V | 35 V | 60 V | 60 V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 2-SMD, J-Lead | 2-SMD, No Lead | 2-SMD, Gull Wing | 0805 (2012 Metric) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 다이오드 유형 | Schottky | PIN | PIN | PIN |
| 응답 성 @ nm의 | 0.14 A/W @ 350nm | 0.47 A/W @ 780nm, 0.42 A/W @ 650nm | - | - |
| 연속 | - | - | - | - |
GUVA-S12SD - Genicom Co., Ltd.에 대한 GUVA-S12SD PDF 데이터 시트 및 Genicom Co., Ltd. 문서를 다운로드하십시오.
NJL6402R-2-TE1Nisshinbo Micro Devices Inc.COBP PHOTO DIODE FOR FRONT MONITVBP104FASVishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 750 TO 1050 NMTEMD7000X01Vishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 350 TO 1120 NM
MICROFJ-30035-TSV-TR1onsemiSENSOR PHOTODIODE 420NM 8WBGA
TEMD5510FX01Vishay Semiconductor Opto DivisionSENSOR PHOTODIODE 540NM SMD
BPV23NFVishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 870 TO 1050 NM
VEMD8080Vishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 780 TO 1050 NM
TEMD1000Vishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 380 TO 1100 NM
BPW34FAOSRAM Opto (ams OSRAM)SENSOR PHOTODIODE 880NM 2DIP
TEMD5120X01Vishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 790 TO 1050 NM
QSB34GRonsemiSENSOR PHOTODIODE 940NM 2SMD GW
BPW24RVishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 790 TO 1050 NM
LTR-323DBLite-On Inc.SENSOR PHOTODIODE 900NM RADIAL
PD100MC0MPSharp MicroelectronicsSENSOR PHOTODIODE 820NM SIDE
SFH350VInfineon TechnologiesHOUSING CONNECTOR DIODE PLASTIC
TEMD5010X01Vishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 350 TO 1120 NM
TEMD5110X01Vishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 350 TO 1100 NM
OPR2100TT Electronics/Optek TechnologySENSOR PHOTODIODE 890NM SMD| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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