HGT1S3N60B3DS 기술 사양
Harris Corporation - HGT1S3N60B3DS 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Harris Corporation - HGT1S3N60B3DS과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Harris Corporation | |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 600 V | |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2.1V @ 15V, 3.5A | |
| 시험 조건 | 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V | |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 18ns/105ns | |
| 에너지 전환 | 66µJ (on), 88µJ (off) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 역 회복 시간 (trr) | 28 ns | |
| 전력 - 최대 | 33.3 W |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 유형 | Standard | |
| IGBT 유형 | - | |
| 게이트 충전 | 18 nC | |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 20 A | |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 7 A |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Harris Corporation HGT1S3N60B3DS와 비슷합니다
| 제품 속성 | |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | HGT1S3N60B3DS | HGT1S7N60A4DS | HGT1S3N60A4DS9A | HGT1S20N60C3R |
| 제조사 | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 7 A | 34 A | 17 A | 40 A |
| 게이트 충전 | 18 nC | 37 nC | 21 nC | 116 nC |
| 입력 유형 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 시험 조건 | 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V | 390V, 7A, 25Ohm, 15V | 390V, 3A, 50Ohm, 15V | - |
| 역 회복 시간 (trr) | 28 ns | 34 ns | 29 ns | - |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263AB | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | I2PAK (TO-262) |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 전력 - 최대 | 33.3 W | 125 W | 70 W | 164 W |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| IGBT 유형 | - | - | - | - |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 18ns/105ns | 11ns/100ns | 6ns/73ns | - |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2.1V @ 15V, 3.5A | 2.7V @ 15V, 7A | 2.7V @ 15V, 3A | 2.2V @ 15V, 20A |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 20 A | 56 A | 40 A | 80 A |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 에너지 전환 | 66µJ (on), 88µJ (off) | 55µJ (on), 60µJ (off) | 37µJ (on), 25µJ (off) | - |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
HGT1S7N60A4DSFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S20N36G3VLSR4737INTERSIL/FAIRCHILDHGT1S3N60A4DS9AFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S20N60C3SFairchild (onsemi)HGT1S20N60C3RHarris Corporation40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBTHGT1S7N60A4DS9A MOSFairchild (onsemi)
HGT1S3N60A4DS9AonsemiIGBT 600V 17A 70W D2PAKHGT1S7N60A4DSonsemiIGBT 600V 34A 125W TO263ABHGT1S2N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S20N60A4S9AonsemiIGBT 600V 70A 290W TO263ABHGT1S7N60A4S9AFairchild (onsemi)HGT1S3N60A4DSFairchild (onsemi)HGT1S7N60A4DFairchild (onsemi)HGT1S5N120CNDSFairchild (onsemi)
HGT1S2N120CNonsemiIGBT 1200V 13A 104W I2PAK
HGT1S3N60C3DS9AIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGT1S7N60A4DS.G7N60A4DFairchild (onsemi)HGT1S7N60A4DS9AFairchild SemiconductorIGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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