HGTD8P50G1 기술 사양
Harris Corporation - HGTD8P50G1 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Harris Corporation - HGTD8P50G1과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Harris Corporation | |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 500 V | |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 3.7V @ 15V, 8A | |
| 시험 조건 | - | |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | - | |
| 에너지 전환 | - | |
| 제조업체 장치 패키지 | I-PAK | |
| 연속 | - | |
| 전력 - 최대 | 66 W |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| 패키지 | Bulk | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 유형 | Standard | |
| IGBT 유형 | - | |
| 게이트 충전 | 30 nC | |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 18 A | |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 12 A |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 미준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Harris Corporation HGTD8P50G1와 비슷합니다
| 제품 속성 | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | HGTD8P50G1 | HGTD1N120BNS9A | HGTG11N120CN | HGTG10N120BND |
| 제조사 | Harris Corporation | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 18 A | 6 A | 80 A | 80 A |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | - | 15ns/67ns | 23ns/180ns | 23ns/165ns |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 3.7V @ 15V, 8A | 2.9V @ 15V, 1A | 2.4V @ 15V, 11A | 2.7V @ 15V, 10A |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 500 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
| 실장 형 | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 12 A | 5.3 A | 43 A | 35 A |
| 시험 조건 | - | 960V, 1A, 82Ohm, 15V | 960V, 11A, 10Ohm, 15V | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| 제조업체 장치 패키지 | I-PAK | TO-252AA | TO-247 | TO-247-3 |
| 연속 | - | - | - | - |
| 입력 유형 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 게이트 충전 | 30 nC | 14 nC | 100 nC | 100 nC |
| IGBT 유형 | - | NPT | NPT | NPT |
| 에너지 전환 | - | 70µJ (on), 90µJ (off) | 400µJ (on), 1.3mJ (off) | 850µJ (on), 800µJ (off) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 전력 - 최대 | 66 W | 60 W | 298 W | 298 W |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 패키지 | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
HGTG12N60B3DITSHGTD1N120BNS9AonsemiIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AAHGTG11N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTG10N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 35A TO247-3HGTG11N120CNonsemiIGBT 1200V 43A 298W TO247HGTG12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO247
HGT4E20N60A4DSIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGTG12N60A4Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTD7N60C3SHarris Corporation600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBTHGTD3N60C3SHarris Corporation6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IHGTD7N60C3S9AonsemiIGBT 600V 14A TO252AAHGTG11N120CNDonsemiIGBT NPT 1200V 43A TO247-3HGTD6N50E1Intersil (Renesas Electronics Corporation)HGT1S7N60C3DS9AHarris Corporation14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/HGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTD1N120BNS 1N120BFairchild (onsemi)HGTG11N120CNDFairchild Semiconductor1200V, NPT IGBT| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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