IRF542 기술 사양
Harris Corporation - IRF542 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Harris Corporation - IRF542과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Harris Corporation | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 100mOhm @ 17A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 150W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Bulk |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1450 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 미준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Harris Corporation IRF542와 비슷합니다
| 제품 속성 | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRF542 | IRF540ZS | IRF5802 | IRF540Z |
| 제조사 | Harris Corporation | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TO-220-3 |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 패키지 | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1450 pF @ 25 V | 1770 pF @ 25 V | 88 pF @ 25 V | 1770 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 6.8 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 연속 | - | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 100 V | 150 V | 100 V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 100mOhm @ 17A, 10V | 26.5mOhm @ 22A, 10V | 1.2Ohm @ 540mA, 10V | 26.5mOhm @ 22A, 10V |
| 실장 형 | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 전력 소비 (최대) | 150W (Tc) | 92W (Tc) | 2W (Ta) | 92W (Tc) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25A (Tc) | 36A (Tc) | 900mA (Ta) | 36A (Tc) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | D2PAK | Micro6™(TSOP-6) | TO-220AB |
IRF540ZSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A D2PAKIRF5802Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6IRF540ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A TO220ABIRF541Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF543Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF5801TRPBF MOSIRIRF540ZPBF MOSIRIRF540ZSPBF MOSIR
IRF540STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 28A D2PAKIRF5800TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 4A MICRO6IRF5800TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 4A MICRO6IRF540ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A TO220ABIRF5801TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6IRF5802TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOPIRF540ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A D2PAKIRF5802D2TRPBFIRIRF540STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRF5620PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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