IRF830 기술 사양
Harris Corporation - IRF830 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Harris Corporation - IRF830과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
제조사 | Harris Corporation | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | |
연속 | - | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 75W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
패키지 | Bulk | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Through Hole | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 600 pF @ 25 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 500 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A (Tc) |
오른쪽 세 부분의 규격은 Harris Corporation IRF830와 비슷합니다
제품 속성 | ![]() |
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제품 모델 | IRF830 | IRF830 | IRF8306MTRPBF | IRF8304MTRPBF |
제조사 | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | International Rectifier |
실장 형 | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V | 2.5mOhm @ 23A, 10V | 2.2mOhm @ 28A, 10V |
제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | TO-220AB | DIRECTFET™ MX | DirectFET™ Isometric MX |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 38 nC @ 4.5 V | 42 nC @ 4.5 V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 500 V | 500 V | 30 V | 30 V |
전력 소비 (최대) | 75W (Tc) | 74W (Tc) | 2.1W (Ta), 75W (Tc) | 2.8W (Ta), 100W (Tc) |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric MX |
Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A (Tc) | 4.5A (Tc) | 23A (Ta), 140A (Tc) | 28A (Ta), 170A (Tc) |
연속 | - | - | HEXFET® | HEXFET® |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 600 pF @ 25 V | 610 pF @ 25 V | 4110 pF @ 15 V | 4700 pF @ 15 V |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.35V @ 100µA | 2.35V @ 100µA |
패키지 | Bulk | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk |
FET 특징 | - | - | Schottky Diode (Body) | - |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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