IXDN602SIATR 기술 사양
IXYS Integrated Circuits Division - IXDN602SIATR 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 IXYS Integrated Circuits Division - IXDN602SIATR과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | IXYS Corporation | |
| 전압 - 공급 | 4.5V ~ 35V | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 연속 | - | |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 7.5ns, 6.5ns | |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 입력 주파수 | 2 |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 3V | |
| 입력 유형 | Non-Inverting | |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| 구동 구성 | Low-Side | |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 2A, 2A | |
| 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Independent | |
| 기본 제품 번호 | IXDN602 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
오른쪽 세 부분의 규격은 IXYS Integrated Circuits Division IXDN602SIATR와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IXDN602SIATR | IXDN609PI | IXDN604SITR | IXDN604PI |
| 제조사 | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS Integrated Circuits Division |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-DIP (0.300', 7.62mm), 6 Leads |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 2A, 2A | 9A, 9A | 4A, 4A | 4A, 4A |
| 입력 유형 | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 입력 주파수 | 2 | 1 | 2 | 2 |
| 기본 제품 번호 | IXDN602 | IXDN609 | IXDN604 | IXDN604 |
| 연속 | - | - | - | - |
| 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC | 8-DIP | 8-SOIC-EP | 8-DIP |
| 구동 구성 | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
| 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Independent | Single | Independent | Independent |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 전압 - 공급 | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 7.5ns, 6.5ns | 22ns, 15ns | 9ns, 8ns | 9ns, 8ns |
| 실장 형 | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) |
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IXDN55N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXDN609PIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDN604SITRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDN55N120DINOIGBT ModuleIXDN604PIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDN604SIATRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN602SITRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN602SIA-TRIXYS / LittelfuseIXDN602PIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDN55N120DIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXDN604SIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN604SIXYS / LittelfuseIXDN604SIAIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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