IXFA7N80P 기술 사양
IXYS - IXFA7N80P 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 IXYS - IXFA7N80P과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | IXYS Corporation | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 1mA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263AA (IXFA) | |
| 연속 | HiPerFET™, Polar | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.44Ohm @ 3.5A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 200W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1890 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 800 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IXFA7N80 |
오른쪽 세 부분의 규격은 IXYS IXFA7N80P와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IXFA7N80P | IXFA4N100Q | IXFA230N075T2 | IXFB44N100P |
| 제조사 | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Vgs (최대) | ±30V | ±20V | ±20V | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1890 pF @ 25 V | 1050 pF @ 25 V | 10500 pF @ 25 V | 19000 pF @ 25 V |
| 기본 제품 번호 | IXFA7N80 | IXFA4N100 | IXFA230 | IXFB44 |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 1mA | 4.5V @ 1.5mA | 4V @ 1mA | 6.5V @ 1mA |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 800 V | 1000 V | 75 V | 1000 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-264-3, TO-264AA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7A (Tc) | 4A (Tc) | 230A (Tc) | 44A (Tc) |
| 연속 | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Q Class | HiPerFET™, TrenchT2™ | HiPerFET™, Polar |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263AA (IXFA) | TO-263AA (IXFA) | TO-263AA (IXFA) | PLUS264™ |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전력 소비 (최대) | 200W (Tc) | 150W (Tc) | 480W (Tc) | 1250W (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V | 178 nC @ 10 V | 305 nC @ 10 V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.44Ohm @ 3.5A, 10V | 3Ohm @ 2A, 10V | 4.2mOhm @ 50A, 10V | 220mOhm @ 22A, 10V |
IXFA7N80P - IXYS에 대한 IXFA7N80P PDF 데이터 시트 및 IXYS 문서를 다운로드하십시오.
IXFA4N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 4A TO263IXFA230N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 230A TO263IXFB44N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264IXFB30N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264IXFA3N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 3A TO263IXFB100N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 100A PLUS264IXFB150N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
IXFA34N65X2IXYS CorporationMOSFET N-CH 650V 34A TO-263IXFA34N65X2 MOSIXYS / LittelfuseIXFB40N110PIXYSMOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264IXFA5N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 5A TO263IXFA90N20X3IXYSMOSFET N-CH 200V 90A TO263AAIXFA7N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 7A TO263IXFA90N20X3 TRLIXYS / LittelfuseIXFB100N50P MOSIXYS / LittelfuseIXFA56N30IXYS / LittelfuseIXFB170N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 170A PLUS264IXFA6N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 6A TO263| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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