IXFK30N100Q2 기술 사양
IXYS - IXFK30N100Q2 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 IXYS - IXFK30N100Q2과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | IXYS Corporation | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 8mA | |
Vgs (최대) | ±30V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | TO-264AA (IXFK) | |
연속 | HiPerFET™, Q2 Class | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 400mOhm @ 15A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 735W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
패키지 | Tube |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Through Hole | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8200 pF @ 25 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 186 nC @ 10 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1000 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) | |
기본 제품 번호 | IXFK30 |
오른쪽 세 부분의 규격은 IXYS IXFK30N100Q2와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | IXFK30N100Q2 | IXFK300N20X3 | IXFK360N15T2 | IXFK30N50Q |
제조사 | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
제조업체 장치 패키지 | TO-264AA (IXFK) | TO-264 | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) |
기본 제품 번호 | IXFK30 | IXFK300 | IXFK360 | IXFK30 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8200 pF @ 25 V | 23800 pF @ 25 V | 47500 pF @ 25 V | 3950 pF @ 25 V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) | 300A (Tc) | 360A (Tc) | 30A (Tc) |
FET 특징 | - | - | - | - |
전력 소비 (최대) | 735W (Tc) | 1250W (Tc) | 1670W (Tc) | 416W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 400mOhm @ 15A, 10V | 4mOhm @ 150A, 10V | 4mOhm @ 60A, 10V | 160mOhm @ 15A, 10V |
연속 | HiPerFET™, Q2 Class | HiPerFET™, Ultra X3 | HiPerFET™, TrenchT2™ | HiPerFET™ |
패키지 / 케이스 | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 186 nC @ 10 V | 375 nC @ 10 V | 715 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V |
Vgs (최대) | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1000 V | 200 V | 150 V | 500 V |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 8mA | 4.5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 4.5V @ 4mA |
IXFK30N100Q2 - IXYS에 대한 IXFK30N100Q2 PDF 데이터 시트 및 IXYS 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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