IXFX52N60Q2 기술 사양
IXYS - IXFX52N60Q2 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 IXYS - IXFX52N60Q2과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | IXYS Corporation | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 8mA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 연속 | HiPerFET™, Q2 Class | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 115mOhm @ 500mA, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 735W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 Variant | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6800 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 198 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 52A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IXFX52 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 IXYS IXFX52N60Q2와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IXFX52N60Q2 | IXFX64N60P | IXFX44N60 | IXFX50N50 |
| 제조사 | IXYS | IXYS | IXYS Corporation | IXYS |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 600 V | 600V | 500 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 198 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V | 330nC @ 10V | 330 nC @ 10 V |
| 기본 제품 번호 | IXFX52 | IXFX64 | - | IXFX50 |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 115mOhm @ 500mA, 10V | 96mOhm @ 500mA, 10V | 130 mOhm @ 22A, 10V | 100mOhm @ 25A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 735W (Tc) | 1040W (Tc) | 560W (Tc) | 520W (Tc) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 Variant | TO-247-3 Variant | TO-247-3 | TO-247-3 Variant |
| 제조업체 장치 패키지 | PLUS247™-3 | PLUS247™-3 | PLUS247™-3 | PLUS247™-3 |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±20V | ±20V |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 4.5V @ 8mA | 4.5V @ 8mA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 52A (Tc) | 64A (Tc) | 44A (Tc) | 50A (Tc) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6800 pF @ 25 V | 12000 pF @ 25 V | 8900pF @ 25V | 9400 pF @ 25 V |
| 패키지 | Tube | Tube | - | Tube |
| 연속 | HiPerFET™, Q2 Class | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ | HiPerFET™ |
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IXFX64N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3IXFX44N60IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 44A PLUS247
IXFX44N80P MOSIXYS / LittelfuseIXFX50N50IXYSMOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3IXFX64N50P MOSIXYS / LittelfuseIXFX44N80PIXYSMOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3IXFX64N60P3IXYSMOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3IXFX48N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3IXFX44N55QIXYSMOSFET N-CH 550V 44A PLUS247-3IXFX44N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 44A PLUS247-3IXFX55N50IXYSMOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3IXFX73N30IXYS / LittelfuseIXFX60N55Q2IXYSMOSFET N-CH 550V 60A PLUS247-3IXFX48N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 48A PLUS247-3IXFX66N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 66A PLUS247-3IXFX55N50FIXYSMOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3IXFX64N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3IXFX38N80Q2IXYSMOSFET N-CH 800V 38A PLUS247-3| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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