IXTA1N120P 기술 사양
IXYS - IXTA1N120P 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 IXYS - IXTA1N120P과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | IXYS Corporation | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 50µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263AA | |
| 연속 | Polar | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 20Ohm @ 500mA, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 63W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 550 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17.6 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IXTA1 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 IXYS IXTA1N120P와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IXTA1N120P | IXTA180N10T | IXTA200N055T2 | IXTA26P10T |
| 제조사 | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263AA | TO-263AA | TO-263AA | TO-263AA |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1A (Tc) | 180A (Tc) | 200A (Tc) | 26A (Tc) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±30V | ±20V | ±15V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17.6 nC @ 10 V | 151 nC @ 10 V | 109 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 연속 | Polar | Trench | TrenchT2™ | TrenchP™ |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 기본 제품 번호 | IXTA1 | IXTA180 | IXTA200 | IXTA26 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200 V | 100 V | 55 V | 100 V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 550 pF @ 25 V | 6900 pF @ 25 V | 6800 pF @ 25 V | 3820 pF @ 25 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 20Ohm @ 500mA, 10V | 6.4mOhm @ 25A, 10V | 4.2mOhm @ 50A, 10V | 90mOhm @ 13A, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 전력 소비 (최대) | 63W (Tc) | 480W (Tc) | 360W (Tc) | 150W (Tc) |
IXTA1N120P - IXYS에 대한 IXTA1N120P PDF 데이터 시트 및 IXYS 문서를 다운로드하십시오.
IXTA180N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 180A TO263IXTA200N055T2IXYSMOSFET N-CH 55V 200A TO263
IXTA220N04T2IXYS / LittelfuseIXTA26P10TIXYSMOSFET P-CH 100V 26A TO263IXTA1N200P3HVIXYSMOSFET N-CH 2000V 1A TO263IXTA152N085TIXYSMOSFET N-CH 85V 152A TO263IXTA1N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263IXTA1R4N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263IXTA16N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 16A TO263IXTA170N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 170A TO263IXTA230N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 230A TO263
IXTA180N10T7IXYSMOSFET N-CH 100V 180A TO263-7IXTA220N04IXYS / LittelfuseIXTA1R6N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 1.6A TO263IXTA180N10T7 MOSIXYS / LittelfuseIXTA200N055IXYS / LittelfuseIXTA18P10TIXYSMOSFET P-CH 100V 18A TO263IXTA180N10T7 TRLIXYS / Littelfuse| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
더 나은 가격을 원하십니까? 이 CART 에 추가하십시오. 즉시 연락 드리겠습니다.