IXTQ150N06P 기술 사양
IXYS - IXTQ150N06P 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 IXYS - IXTQ150N06P과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | IXYS Corporation | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-3P | |
| 연속 | Polar | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10mOhm @ 75A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 480W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3000 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 118 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 150A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IXTQ150 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 IXYS IXTQ150N06P와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IXTQ150N06P | IXTQ140N10P | IXTQ102N20T | IXTQ180N055T |
| 제조사 | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 150A (Tc) | 140A (Tc) | 102A (Tc) | 180A (Tc) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10mOhm @ 75A, 10V | 11mOhm @ 70A, 10V | 23mOhm @ 500mA, 10V | 4mOhm @ 50A, 10V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | - | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3000 pF @ 25 V | 4700 pF @ 25 V | 6800 pF @ 25 V | 5800 pF @ 25 V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 100 V | 200 V | 55 V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4.5V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 전력 소비 (최대) | 480W (Tc) | 600W (Tc) | 750W (Tc) | - |
| 기본 제품 번호 | IXTQ150 | IXTQ140 | IXTQ102 | - |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
| 연속 | Polar | Polar | Trench | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 118 nC @ 10 V | 155 nC @ 10 V | 114 nC @ 10 V | 160 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
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IXTQ140N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 140A TO3PIXTQ102N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 102A TO3PIXTQ180N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 180A TO3PIXTQ16N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 16A TO3PIXTQ200N04TIXYS / LittelfuseIXTQ18N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 18A TO3PIXTQ130N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 130A TO3PIXTQ160N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 160A TO3PIXTQ110N055PIXYSMOSFET N-CH 55V 110A TO3PIXTQ150N15PIXYSMOSFET N-CH 150V 150A TO3PIXTQ182N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 182A TO3PIXTQ120N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 120A TO3PIXTQ200N06PIXYSMOSFET N-CH 60V 200A TO3PIXTQ102N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 102A TO3PIXTQ130N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO3PIXTQ110N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 110A TO3PIXTQ170N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 170A TO3PIXTQ14N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 14A TO3P| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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