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VWM200-01P - IXYS
- 제조사 제품 모델
- VWM200-01P
- 제조사
- IXYS Corporation
- Allelco 제품 모델
- 32D-VWM200-01P
- ECAD 모델
- 부품 설명
- MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
- 상세 설명
- 포장
- V2-PAK
- 데이터 시트
- VWM200-01P.pdf
- 유품: 3850
VWM200-01P 기술 사양
IXYS - VWM200-01P 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 IXYS - VWM200-01P과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | IXYS Corporation | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 2mA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | V2-PAK | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.2mOhm @ 100A, 10V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 패키지 / 케이스 | V2-PAK | |
| 패키지 | Box |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Chassis Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 430nC @ 10V | |
| FET 특징 | - | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 210A | |
| 구성 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | |
| 기본 제품 번호 | VWM200 |
오른쪽 세 부분의 규격은 IXYS VWM200-01P와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | VWM200-01P | FDMS3669S | FDPC8011S | AO6602L |
| 제조사 | IXYS | onsemi | onsemi | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 2mA | 2.7V @ 250µA | 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA | 3V @ 250µA |
| 기본 제품 번호 | VWM200 | FDMS3669 | FDPC8 | AO660 |
| 실장 형 | Chassis Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - | 1605pF @ 15V | 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V | 240pF @ 15V |
| 패키지 / 케이스 | V2-PAK | 8-PowerTDFN | 8-PowerWDFN | SC-74, SOT-457 |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 430nC @ 10V | 24nC @ 10V | 19nC @ 10V, 64nC @ 10V | 8.5nC @ 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V | 30V | 25V | 30V |
| 제조업체 장치 패키지 | V2-PAK | Power56 | Powerclip-33 | 6-TSOP |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 210A | 13A, 18A | 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc) | - |
| FET 특징 | - | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 전력 - 최대 | - | 1W | 800mW (Ta), 900mW (Ta) | 1.15W |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.2mOhm @ 100A, 10V | 10mOhm @ 13A, 10V | 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V | 75mOhm @ 3.1A, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 구성 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | N and P-Channel Complementary |
| 연속 | - | PowerTrench® | PowerTrench® | - |
VWM200-01P - IXYS에 대한 VWM200-01P PDF 데이터 시트 및 IXYS 문서를 다운로드하십시오.
FDMS3669SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56FDPC8011SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFNAO6602LAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
IRF9952TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
FDW2501NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
SH8M3TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
NTHD4102PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
DMN63D1LV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
MAX8659ETL+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedMASTER-SLAVE CPU CORE REGULATOR
SI9933BDYFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDG6318PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
SI1926DL-T1-BE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
VWM270-0075X2IXYSMOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK
HUFA76407DK8TonsemiMOSFET 2N-CH 60V 8-SOICFDS6912AonsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOICFDG8850NZonsemiMOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88
2SK2596BXTL-ERenesas Electronics America IncULTRA HIGH FREQ BAND, N-CHANNEL
IRF7509TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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