ISL6613ECB 기술 사양
Intersil - ISL6613ECB 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Intersil - ISL6613ECB과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Intersil (Renesas Electronics Corporation) | |
| 전압 - 공급 | 10.8V ~ 13.2V | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC-EP | |
| 연속 | - | |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 26ns, 18ns | |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | |
| 패키지 | Tube | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 125°C (TJ) | |
| 입력 주파수 | 2 |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 논리 전압 - VIL, VIH | - | |
| 입력 유형 | Non-Inverting | |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 36 V | |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET | |
| 구동 구성 | Half-Bridge | |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 1.25A, 2A | |
| 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Synchronous | |
| 기본 제품 번호 | ISL6613 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 미준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Intersil ISL6613ECB와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | ISL6613ECB | ISL6613AEIBZ | ISL6613BCRZ | ISL6613BIRZ |
| 제조사 | Intersil | Intersil | Intersil | Intersil |
| 입력 주파수 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 전압 - 공급 | 10.8V ~ 13.2V | 10.8V ~ 13.2V | 7V ~ 13.2V | 7V ~ 13.2V |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC-EP | 8-SOIC-EP | 10-DFN (3x3) | 10-DFN (3x3) |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| 입력 유형 | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 26ns, 18ns | 26ns, 18ns | 26ns, 18ns | 26ns, 18ns |
| 구동 구성 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| 논리 전압 - VIL, VIH | - | - | - | - |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| 연속 | - | - | - | - |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 36 V | 36 V | 36 V | 36 V |
| 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Synchronous | Synchronous | Synchronous | Synchronous |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | 10-VFDFN Exposed Pad | 10-VFDFN Exposed Pad |
| 기본 제품 번호 | ISL6613 | ISL6613 | ISL6613 | ISL6613 |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 1.25A, 2A | 1.25A, 2A | 1.25A, 2A | 1.25A, 2A |
| 작동 온도 | 0°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) |
ISL6613AEIBZIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,ISL6613BCRZIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,ISL6613BIRZIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
ISL6613CBRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ISL6614ACBZARenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICISL6613CBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICISL6614ACB-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
ISL6613BIRZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFNISL6614ACBRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICISL6614ACBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
ISL6613ECBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICISL6614ACBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICISL6613ECBRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ISL6614ACB-TIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERISL6614ACBIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERISL6613AEIBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICISL6613CRZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFNISL6613BCRZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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