KBU4D 기술 사양
Good-Ark Semiconductor - KBU4D 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Good-Ark Semiconductor - KBU4D과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
제조사 | Good-Ark Semiconductor | |
전압 - 피크 역 (최대) | 200 V | |
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1 V @ 4 A | |
과학 기술 | Standard | |
제조업체 장치 패키지 | KBU | |
연속 | - | |
패키지 / 케이스 | 4-SIP, KBU |
제품 속성 | 속성 값 | |
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패키지 | Bulk | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Through Hole | |
다이오드 유형 | Single Phase | |
전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 5 µA @ 200 V | |
전류 - 평균 정류 (Io) | 4 A |
오른쪽 세 부분의 규격은 Good-Ark Semiconductor KBU4D와 비슷합니다
제품 속성 | ![]() |
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제품 모델 | KBU4D | KBU6A-E4/51 | KBU1006 | KBU1506 |
제조사 | Good-Ark Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Yangjie Technology | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
제조업체 장치 패키지 | KBU | KBU | - | KBU |
전류 - 평균 정류 (Io) | 4 A | 6 A | - | 15 A |
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1 V @ 4 A | 1 V @ 6 A | - | 1.1 V @ 7.5 A |
연속 | - | - | - | - |
전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 50 V | - | 10 µA @ 600 V |
패키지 | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
과학 기술 | Standard | Standard | - | Standard |
전압 - 피크 역 (최대) | 200 V | 50 V | - | 600 V |
다이오드 유형 | Single Phase | Single Phase | - | Single Phase |
패키지 / 케이스 | 4-SIP, KBU | 4-SIP, KBU | - | 4-ESIP, KBU |
실장 형 | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
KBU4D - Good-Ark Semiconductor에 대한 KBU4D PDF 데이터 시트 및 Good-Ark Semiconductor 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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