R6035ENZ1C9 기술 사양
Rohm Semiconductor - R6035ENZ1C9 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Rohm Semiconductor - R6035ENZ1C9과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | LAPIS Technology | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 1mA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 102mOhm @ 18.1A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 120W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2720 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Rohm Semiconductor R6035ENZ1C9와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | R6035ENZ1C9 | R6035KNZ1C9 | R6076ENZ1C9 | R6047ENZ1C9 |
| 제조사 | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| 전력 소비 (최대) | 120W (Tc) | 379W (Tc) | 120W (Tc) | 120W (Tc) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 1mA | 5V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 145 nC @ 10 V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 102mOhm @ 18.1A, 10V | 102mOhm @ 18.1A, 10V | 42mOhm @ 44.4A, 10V | 72mOhm @ 25.8A, 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2720 pF @ 25 V | 3000 pF @ 25 V | 6500 pF @ 25 V | 3850 pF @ 25 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) | 35A (Tc) | 76A (Tc) | 47A (Tc) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247 | TO-247 | TO-247 | TO-247 |
| 연속 | - | - | - | - |
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R6030635Powerex, Inc.IGBT ModuleR6047ENZ1LAPIS TechnologyR6035KNZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247R6076ENZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 76A TO247R6032022Powerex, Inc.IGBT ModuleR6031222Powerex, Inc.IGBT ModuleR6076ENZ4C13 MOSLAPIS TechnologyR6031220Powerex, Inc.IGBT ModuleR6047ENZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 47A TO247
R60PI3100AA30JKEMETCAP FILM 0.1UF 5% 630VDC RADR6030435Powerex, Inc.IGBT ModuleR6076MNZ1C9Rohm SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247R6031235Powerex, Inc.IGBT Module
R60MI3100AA30KKEMETCAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL
R60PF2100AA30JKEMETCAP FILM 10000PF 5% 630VDC RADR6031225Powerex, Inc.IGBT ModuleR6030835Powerex, Inc.IGBT ModuleR6030ENZ1LAPIS Technology| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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