RCD080N25TL 기술 사양
Rohm Semiconductor - RCD080N25TL 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Rohm Semiconductor - RCD080N25TL과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | LAPIS Technology | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 1mA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | CPT3 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 300mOhm @ 4A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 850mW (Ta), 20W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1440 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 250 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | RCD080 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Rohm Semiconductor RCD080N25TL와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | RCD080N25TL | RCD040N25TL | RCD100N20TL | RCD051N20TL |
| 제조사 | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 기본 제품 번호 | RCD080 | RCD040 | RCD100 | RCD051 |
| 연속 | - | - | - | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1440 pF @ 25 V | - | 1400 pF @ 25 V | 330 pF @ 25 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | - | 25 nC @ 10 V | 8.3 nC @ 10 V |
| 제조업체 장치 패키지 | CPT3 | CPT3 | CPT3 | CPT3 |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 250 V | 250 V | 200 V | 200 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A (Ta) | 4A (Ta) | 10A (Tc) | 5A (Tc) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 1mA | - | 5.25V @ 1mA | 5.25V @ 1mA |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 300mOhm @ 4A, 10V | - | 182mOhm @ 5A, 10V | 760mOhm @ 2.5A, 10V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 전력 소비 (최대) | 850mW (Ta), 20W (Tc) | 20W (Tc) | 850mW (Ta), 20W (Tc) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
RCD1805P9ERFSEMI
RCD050N20LAPIS TechnologyRCD100N20 P0920BDNIKOSRCD040N25TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 250V 4A CPT3RCD100N20TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 10A CPT3RCD100N20 TLLAPIS TechnologyRCD2005P8RFSEMIRCD100-DPRUBIDIUMRCD075N20FMMTLLAPIS TechnologyRCD051N20TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 5A CPT3RCD100N20LAPIS TechnologyRCD040N25TL MOSLAPIS TechnologyRCD100N19FMMTLLAPIS TechnologyRCD075N20TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 7.5A CPT3RCD060N25LAPIS TechnologyRCD051N20LAPIS TechnologyRCD040N25TL C04N25LAPIS TechnologyRCD050N20TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 5A CPT3| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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